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Posted in | Nanoelectronics

Samsung annuncia lo sviluppo di 30 nm classe Process-Based LPDDR3 DRAM

Published on September 30, 2011 at 4:33 AM

Da Cameron Chai

Alla ottava edizione Forum Samsung Mobile Solutions condotto presso The Westin Taipei, Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato una prima-di-un-tipo monolitico 4 a basso consumo Gb double-data-rate 3 (LPDDR3) di memoria utilizzando 30 nm classe processo tecnologia per supportare grafica tridimensionale, display e risoluzione ultra veloce processers nella avanzati dispositivi mobili di prossima generazione.

LPDDR3 DRAM

Il romanzo 4Gb LPDDR3 DRAM ha una velocità di trasferimento dati fino a 1.600 Mbps, che è 1,5 pieghe più veloce rispetto alla velocità di trasferimento dati di 1.066 Mbps degli attuali LPDDR2. Il consumo di energia elettrica da parte del nuovo componente è del 20% minore rispetto al suo precursore. Inoltre, Samsung permetterà l'utilizzo di un unico pacchetto da 1GB LPDDR3 che ha una velocità di trasferimento dati di un massimo di 12,8 GBps attraverso la sovrapposizione di due 4 chip Gb.

Al fine di soddisfare la crescente domanda di soluzioni ad alta densità di memoria mobile per il trattamento dei dati enorme, l'ottimale velocità di trasferimento dati di DRAM mobile per apparecchi mobili avanzati aumenterà da 1 GB (8GB) ad un massimo di 2 GB (16 GB) entro l'inizio 2012. Queste densità sarà offerto da impilare quattro numeri di chip da 4Gb LPDDR3.

Samsung fornirà i campioni del 4Gb a base di chip LPDDR3 ai principali produttori di dispositivi mobili dal prossimo trimestre. I chip sono previsti per beneficiano di un ampio nel 2012 a sofisticati dispositivi mobili come futura generazione di tablet PC e smartphone.

Fonte: http://www.samsung.com

Last Update: 23. October 2011 00:34

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