Posted in | Nanoelectronics

Samsung объявляет о развитии 30 нм класса на основе процессов LPDDR3 DRAM

Published on September 30, 2011 at 4:33 AM

По Камерон Чай

На восьмом ежегодном Samsung Mobile Solutions Форум проводится в Westin Taipei, Samsung Electronics объявила, что она разработала первый в своем роде монолитных 4 Гб малой мощности двойной скоростью передачи данных 3 (LPDDR3) память использованием 30 нанометрового класса процесса с поддержкой технологии трехмерной графики, ультра дисплея с разрешением и быстрым переработчиков в развитых будущего поколения мобильных устройств.

LPDDR3 DRAM

Роман 4Gb LPDDR3 DRAM имеет скорость передачи данных до 1600 Мбит, что в 1,5 складки быстрее по сравнению с скоростью передачи данных 1066 Мбит существующих LPDDR2. Потребление электроэнергии на новый компонент на 20% меньше, чем его предшественник. Более того, Samsung позволит использование одного пакета LPDDR3 1GB, которая скоростью передачи данных не более 12,8 ГБ через укладку двух 4 Гб чипов.

Для того, чтобы удовлетворить растущий спрос на высокой плотностью памяти мобильных решений для обработки больших объемов данных, оптимальные скорость передачи данных мобильной DRAM для оборудования современных мобильных увеличит с 1 Гб (8 Гб) до максимум 2 Гб (16 Гб) к началу 2012 год. Эти плотности будет предложена, складывая четыре цифры 4 Гбит чипов LPDDR3.

Samsung будет поставлять образцы 4 Гб на базе чипа LPDDR3 основных производителей мобильных устройств со следующего квартала. Чипы, как ожидается, находят широкое признание в 2012 году в сложных мобильных устройств, таких как будущее поколение планшетных ПК и смартфонов.

Источник: http://www.samsung.com

Last Update: 21. October 2011 01:43

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit