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三星推出64千兆字节的e - MMC NAND记忆卡,使用20nm的技术

Published on October 1, 2011 at 4:58 AM

由Cameron湾仔

三星电子日前宣布,它已经推出了其64千兆字节的嵌入式多媒体卡(E - MMC)NAND旨在片,智能手机和移动设备。该公司作出本公布在三星移动解决方案论坛每年举办一次。

新的多媒体卡采用三星的20纳米级工艺技术和措施,在厚度仅为1.4毫米。它有8个芯片堆叠和切换DDR 2.0接口。该产品可在80 MB / s的速度和顺序写操作执行在40 MB / s的连续读取操作多媒体卡在一个体重0.6克的堆栈了16000个MP3文件的记忆存储能力该产品可随机在400输入/输出每秒运算速度执行写操作。

据明何金,三星电子设备解决方案营销副总裁,内存,该公司将开始生产的多媒体记忆卡越来越多地采用嵌入式的溢价卡。该公司推出了在2010年的第一个64 GB的e - MMC 30纳米级工艺技术和32 GB的NAND快闪记忆体元件组成。它还开始与32 GB的NAND快闪记忆体元件生产在2010年年底的64 GB的e - MMC。最新的20纳米级工艺技术64 GB的NAND闪存组件预计将增加60%,公司的生产力。

来源: http://www.samsung.com

Last Update: 23. October 2011 11:01

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