Por Cameron Chai
Imec, uma empresa de pesquisa de nanoeletrônica, desenvolveu um CMOS policristalino integrados SiGe sensor de pressão piezo.
Seção transversal imagem SEM do sensor integrado. No fundo, as duas linhas de metais Cu do circuito CMOS pode ser observado. Acima, as camadas de MEMS (a membrana de poli-SiGe e piezoresistors, a camada de óxido de vedação eo metal interconexões) são visíveis.
Quando comparado ao poly-Si, SiGe policristalinos é mais promissora como material estrutural MEMS. Ele permite pós-processamento em cima de um CMOS com 0,13 mM Cu-backend. Isto dá as propriedades mecânicas necessárias em temperaturas menores. A abordagem em MEMS última permite a integração do MEMS sem qualquer alteração na posição normal, os processos CMOS de fundição e facilita áreas menores morrem. Poli-SiGe fornece uma tecnologia mais flexível e genérico para CMOS MEMS-integração monolítica.
Imec já havia provado a capacidade de poli-SiGe para MEMS em alumínio-backend integração CMOS, e tem agora substituído alumínio com cobre. O sensor Imec tem quatro poli-SiGe piezoresistors, um amplificador de instrumentação feita usando 0,13 mM tecnologia CMOS, um sensor de pressão piezo-resistivo que tem sido superfície microusinados, tungstênio cheio de vias, dielétrico de óxido e Cu-interconexões. A temperatura de processamento máxima do sensor é mantida abaixo de 455 º C para facilitar a integração CMOS. O processo inclui a adição de uma camada de passivação para salvaguardar o circuito eletrônico da deposição e corrosão passos necessários para a fabricação de dispositivos MEMS. O processamento MEMS não se deteriore o circuito CMOS. O sensor de poli-SiGe piezo demonstrado aproximadamente 2,5 mV / V / bar sensibilidade e quando foi integrada com o amplificador CMOS Cu baseado demonstrou 64 vezes mais sensibilidade de 158 mV / V / bar.
Fonte: http://www2.imec.be/be_en/