卡梅伦柴
Imec， nanoelectronics 研究公司，发展了 CMOS 集成的多晶的 SiGe 压阻的压传感器。
集成传感器的短剖面 SEM 照片。 在底层， CMOS 电路的二条古芝金属线路可以被观察。 上述， MEMS 层 (多SiGe 膜和 piezoresistors、氧化物密封的层和这种金属互联) 是可视的。
当与多 Si 比较，多晶的 SiGe 拥有更多承诺作为 MEMS 结构上的材料。 它准许后加工在与古芝后端 0.13 的 µm 的 CMOS 顶部。 这产生必需的机械性能在一点温度。 MEMS 前个途径启用 MEMS 的综合化，不用任何变化在正常 CMOS 铸造厂上处理并且实现更小中断区。 多SiGe 为 CMOS-MEMS 整体综合化提供更加灵活和更加通用的技术。
Imec 及早证明能力多SiGe 在铝后端 CMOS 综合化的 MEMS 的和用铜现在替换铝。 Imec 传感器有四多SiGe piezoresistors，使用 0.13 µm CMOS 技术做的手段放大器，是表面micromachined，钨充满的 vias，氧化物电介质，并且古芝互联的一个压阻的压传感器。 传感器的最大处理温度在 455ºC 下被维护实现 CMOS 综合化。 这个进程包括钝化层的添加保障电子线路从证言和铭刻的对于制造 MEMS 设备是必需的步骤。 MEMS 处理不恶化 CMOS 电路。 多SiGe 压阻的传感器展示了大约 2.5 mV/V/bar 区分，并且，当它集成与基于古芝的 CMOS 放大器它展示了 64 倍 158 个 mV/V/bar 更多区分。
来源： http://www2.imec.be/be_en/