由Cameron灣仔
IMEC，納米電子研究公司，已開發的CMOS集成多晶矽鍺的壓阻式壓力傳感器。
集成傳感器的橫截面SEM照片。在底部，CMOS電路的兩個銅金屬線可以觀察到。以上，MEMS層（聚矽鍺膜和壓敏電阻，氧化密封層和金屬互連）是可見的。
當相比，多晶矽，多晶矽鍺擁有更多的MEMS結構材料的承諾。它允許在CMOS上採用 0.13微米銅後端的後處理。這使得在較低溫度的要求的機械性能。 MEMS最後一種方法使沒有任何變化，在正常的CMOS代工工藝的MEMS集成，並促進更小的芯片領域。聚矽鍺提供了更加靈活和共性技術的CMOS MEMS單片集成。
IMEC的早期證明了MEMS的聚矽鍺的能力比鋁後端的CMOS集成，目前已取代銅，鋁。 IMEC的傳感器有四個聚矽鍺壓敏電阻，儀表放大器，採用 0.13微米CMOS技術，壓阻式壓力傳感器已表面微加工，鎢填充孔，氧化物電介質和銅互連。傳感器的最大加工溫度保持低於 455 ° C至便利的CMOS集成。這個過程包括鈍化層除了維護電子電路從沉積和蝕刻用於製造 MEMS器件所需的步驟。 MEMS加工，不變質的CMOS電路。聚矽鍺的壓阻式傳感器顯示約 2.5 mV / V的酒吧/靈敏度，當它被集成與銅基 CMOS放大器，它表明靈敏度 158 mV / V的/酒吧的64倍以上。
來源： http://www2.imec.be/be_en/