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Microscopio Avanzado de la Photomask-Proyección de imagen de EUV para la Creación de la Viruta del Semiconductor

Published on November 3, 2011 at 3:29 AM

Por Cameron Chai

El Laboratorio Nacional de Lorenzo Berkeley ha desarrollado el microscopio (SOSTENIDO) Actínico del Proyecto de la Revista del Retículo del Alto-NA del Semiconductor para la fotolitografía. El microscopio SOSTENIDO es un microscopio extremo-ultravioleta (EUV) avanzado de la photomask-proyección de imagen que se ha desarrollado en colaboración con fabricantes del semiconductor.

Ven a Kenneth Goldberg en la capa reflexiva de una máscara de la fotolitografía que él esté a punto de medir en el beamline Avanzado 11.3.2 de la Fuente De Luz. La Inserción en la derecha más inferior muestra la capa absorbente extremo-ultravioleta (EUV) de una máscara, impresa en un cuadrado de la seis-pulgada del cristal recubierto con capas múltiples de billionths del molibdeno y del silicio solamente de un contador grueso para reflejar EUV indeseado. La capa modelada representa un nivel de un microprocesador de trabajo o el chip de memoria, que puede tener 20 o más tales niveles. Sus estructuras son menos de un diez-millonésimos de un contador a través y difractan la luz visible en modelos del arco iris. Haber: Laboratorio Nacional de Lorenzo Berkeley

Kenneth Goldberg en el Centro de la División de la Ciencia Material del Laboratorio de Berkeley para la Óptica de la Radiografía (CXRO) está llevando los 1,5 años, proyecto $4,1 millones. El microscopio de EUV debe ser utilizado simultáneamente junto con el microscopio Avanzado de la Fuente De Luz En el beamline 11.3.2. El microscopio Actínico de la Herramienta (AIT) del Examen tiene capacidades específicas de la proyección de imagen, pero puede no poder cumplir los requisitos futuros. El SOSTENIDO sería mejor que la AIT en términos de velocidad, resolución, mando de la coherencia e iluminación.

Los dispositivos de Semiconductor del futuro próximo medirán en términos de billionths de un contador por ejemplo, 8, 11 o 16 nanómetro. La producción en masa De tales semiconductores requiere 13,5 una luz de la longitud de onda EUV del nanómetro para la fotolitografía. Los Photomasks desempeñan un papel principal en la producción en masa en litografía. Los modelos Principales del circuito son llevados por una serie de photomasks y son capa transferida por capa sobre las virutas para la creación de los dispositivos de semiconductor.

Las Párticulas de polvo o las imperfecciones en los modelos principales del circuito pueden llevar para saltarar incidente. La microscopia de EUV puede determinar seguro tales partículas y defectos cuando está comparada a las herramientas del examen del non-EUV. Puede ayudar a evaluar defectos y a reparar configuraciones y los materiales de la máscara, las características avanzadas del modelo y las estrategias.

El microscopio SOSTENIDO de EUV tiene lentes de objetivo de la alto-magnificación, que son lentes olográficos del zoneplate de Fresnel. Nanowriter de CXRO produce estos lentes, que tienen un ancho, ligeramente más que un único cabello humano. Estos lentes microscópicos pueden proyectar imágenes con una magnificación 2,000x. El mando de la coherencia de la Iluminación es una característica única del microscopio. El haz de EUV producido tiene a laser-como coherencia. Rediseñar la iluminación en un estado de la coherencia parcial puede mejorar la resolución de imagen para la microscopia. El iluminador del beamline en el microscopio SOSTENIDO tiene un espejo de la ángulo-exploración que pueda maniobrar la luz alto-coherente del ALS en modelos y romper y restructurar las propiedades de la coherencia.

Fuente: http://www.lbl.gov/

Last Update: 12. January 2012 12:50

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