Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
Posted in | Microscopy | Nanolithography

There is 1 related live offer.

5% Off SEM, TEM, FIB or Dual Beam

Geavanceerde photomask-Weergave EUV Microscoop voor de Verwezenlijking van de Spaander van de Halfgeleider

Published on November 3, 2011 at 3:29 AM

Door Cameron Chai

Het Nationale Laboratorium van Lawrence heeft Berkeley de microscoop van het Overzicht van het Dradenkruis van hoog-Na van de Halfgeleider Actinische SCHERPE) van het Project (voor fotolithografie ontwikkeld. De SCHERPE microscoop is een geavanceerde extreem-ultraviolette (EUV) photomask-weergavemicroscoop die in samenwerking met halfgeleiders fabrikanten is ontwikkeld.

Kenneth Goldberg wordt gezien in de weerspiegelende deklaag van een fotolithografiemasker hij waarbij beamline 11.3.2 op het punt staat te meten van de Geavanceerde Lichtbron. Het Bijvoegsel bij lager recht toont de extreem-ultraviolette van een masker (EUV) absorberende die laag, op zes-duim vierkant van glas wordt afgedrukt met veelvoudige lagen molybdeen en silicium slechts miljardsten van een dikke meter met een laag wordt bedekt op ongewenste EUV te wijzen. De gevormde laag vertegenwoordigt één niveau van een werkende microprocessor of geheugenspaander, die 20 of meer dergelijke niveaus kan hebben. Zijn structuren zijn minder dan één tien-miljoenste overdwars van een meter en buigen zichtbaar licht in regenboogpatronen. Krediet: Het Nationale Laboratorium van Lawrence Berkeley

Kenneth Goldberg op het Centrum van de Afdeling van de Wetenschap van de Materialen van het Laboratorium van Berkeley voor de Optica van de Röntgenstraal (CXRO) leidt het 1.5-jaar, $4.1 miljoen project. De microscoop EUV moet gelijktijdig samen met de Geavanceerde microscoop van de Lichtbron worden gebruikt bij beamline 11.3.2. De Actinische microscoop van het Hulpmiddel (AIT) van de Inspectie heeft specifieke weergavemogelijkheden, maar kan niet aan toekomstige vereisten kunnen voldoen. SCHERP beter dan AIT in termen van snelheid, resolutie, coherentiecontrole en verlichting zou zijn.

De apparaten van de Halfgeleider van de nabije toekomst zullen in termen van miljardsten van een meter NM bijvoorbeeld, 8, 11 of 16 meten. De Massaproduktie van dergelijke halfgeleiders vereist een licht van de 13.5 NMgolflengte EUV voor fotolithografie. Photomasks speelt een belangrijke rol in massaproduktie in lithografie. De Hoofd kringspatronen worden gedragen door een reeks photomasks en zijn overgebrachte laag door laag op spaanders voor verwezenlijking van halfgeleiderapparaten.

De Stofdeeltjes of de onvolmaaktheden op de hoofdkringspatronen kunnen tot spaandermislukking leiden. De microscopie EUV kan dergelijke deeltjes en tekorten betrouwbaar identificeren wanneer vergeleken bij niet-EUV inspectiehulpmiddelen. Het kan helpen tekorten en de architectuur en de materialen van het reparatiemasker, geavanceerde patrooneigenschappen en strategieën evalueren.

De SCHERPE microscoop EUV heeft hoog-vergrotings objectieve lenzen, die holografische Fresnel zoneplate lenzen zijn. Nanowriter van CXRO produceert deze lenzen, die een breedte, lichtjes meer dan één enkel menselijk haar hebben. Deze microscopische lenzen kunnen beelden met een vergroting ontwerpen 2,000x. De de coherentiecontrole van de Verlichting is een unieke eigenschap van de microscoop. De geproduceerde straal EUV heeft een laser-als coherentie. Re-Bouwt de verlichting in een gedeeltelijke coherentiestaat kan de beeldresolutie voor de microscopie verbeteren. Beamlineilluminator in de SCHERPE microscoop heeft een hoek-aftastende spiegel die het hoogst-coherente ALS licht kan manoeuvreren in patronen en onderbreking en de coherentieeigenschappen een nieuwe vorm geven.

Bron: http://www.lbl.gov/

Last Update: 12. January 2012 13:08

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit