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半导体筹码创建的先进的 EUV 光掩膜想象显微镜

Published on November 3, 2011 at 3:29 AM

卡梅伦柴

劳伦斯伯克利国家实验室发展了石版影印的半导体高 NA 光化调制盘复核项目 (锋利的) 显微镜。 锋利的显微镜是 (EUV)被发展了与半导体制造商合伙的一个先进的极其紫外光掩膜想象显微镜。

肯尼斯戈尔登伯格在他将评定在先进的光源的 beamline 11.3.2 石版影印屏蔽的反射性涂层被看见。 在更低的权利的插页显示屏蔽的极其紫外 (EUV)引人入胜的层,打印在用的仪表的仅钼和硅 billionths 多个层涂的玻璃六英寸正方形厚实反射不需要的 EUV。 这块被仿造的层表示一个运转的微处理器的一个级别或存储芯片,可能有 20 个或更多这样级别。 其结构少于十百万分之一分之一是仪表并且衍射在彩虹模式的可见光。 赊帐: 劳伦斯伯克利国家实验室

肯尼斯戈尔登伯格在 X-射线光学 (CXRO) 伯克利实验室的材料学分部中心导致 1.5 年, $4.1 百万项目。 EUV 显微镜将同时使用以及先进的光源显微镜在 beamline 11.3.2。 光化检验工具 (AIT)显微镜有特定想象功能,但是可能不能符合将来的要求。 锐利比 AIT 好根据速度、解决方法、凝聚控制和照明。

不久的将来的半导体设备将评定根据 billionths 仪表, 8,例如 11 或者 16 毫微米。 大量生产的这样半导体为石版影印要求 13.5 毫微米波长 EUV 光。 光掩膜在大量生产扮演主角在石版印刷方面。 主要电路模式由一系列的光掩膜运载并且是调用的层由在筹码上的层半导体设备的创建的。

微尘或缺点在主要电路模式可能导致切削故障。 EUV 显微学可能可靠识别这样微粒和缺陷,当与非EUV 检验工具比较。 它可能帮助评估缺陷和修理屏蔽结构和材料、先进的模式功能和方法。

锋利的 EUV 显微镜有高放大物端透镜,是全息照相的菲涅耳 zoneplate 透镜。 CXRO 的 Nanowriter 轻微更比唯一人发生产这些透镜,有一个宽度。 这些微观透镜可能设想与 2,000x 放大的图象。 照明凝聚控制是显微镜的一个唯一功能。 导致的 EUV 射线有象激光的凝聚。 重新建造照明到一个部分相干性状态里可能改进显微学的分辨率。 在锋利的显微镜的 beamline 反光板有可能操纵高连贯 ALS 光到模式和中断和改造凝聚属性的角度扫描镜子。

来源: http://www.lbl.gov/

Last Update: 12. January 2012 13:06

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