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半導體籌碼創建的先進的 EUV 光掩膜想像顯微鏡

Published on November 3, 2011 at 3:29 AM

卡梅倫柴

勞倫斯伯克利國家實驗室發展了石版影印的半導體高 NA 光化調制盤覆核項目 (鋒利的) 顯微鏡。 鋒利的顯微鏡是 (EUV)被發展了與半導體製造商合夥的一個先進的極其紫外光掩膜想像顯微鏡。

肯尼斯戈爾登伯格在他將評定在先進的光源的 beamline 11.3.2 石版影印屏蔽的反射性塗層被看見。 在更低的權利的插頁顯示屏蔽的極其紫外 (EUV)引人入勝的層,打印在用的儀表的仅鉬和硅 billionths 多個層塗的玻璃六英寸正方形厚實反射不需要的 EUV。 這塊被仿造的層表示一個運轉的微處理器的一個級別或存儲芯片,可能有 20 個或更多這樣級別。 其結構少於十百萬分之一分之一是儀表并且衍射在彩虹模式的可見光。 赊帳: 勞倫斯伯克利國家實驗室

肯尼斯戈爾登伯格在 X-射線光學 (CXRO) 伯克利實驗室的材料學分部中心導致 1.5 年, $4.1 百萬項目。 EUV 顯微鏡将同時使用以及先進的光源顯微鏡在 beamline 11.3.2。 光化檢驗工具 (AIT)顯微鏡有特定想像功能,但是可能不能符合將來的要求。 銳利比 AIT 好根據速度、解決方法、凝聚控制和照明。

不久的將來的半導體設備將評定根據 billionths 儀表, 8,例如 11 或者 16 毫微米。 大量生產的這樣半導體為石版影印要求 13.5 毫微米波長 EUV 光。 光掩膜在大量生產扮演主角在石版印刷方面。 主要電路模式由一系列的光掩膜運載并且是調用的層由在籌碼上的層半導體設備的創建的。

微塵或缺點在主要電路模式可能導致切削故障。 EUV 顯微學可能可靠識別這樣微粒和缺陷,當與非EUV 檢驗工具比較。 它可能幫助評估缺陷和修理屏蔽結構和材料、先進的模式功能和方法。

鋒利的 EUV 顯微鏡有高放大物端透鏡,是全息照相的菲涅耳 zoneplate 透鏡。 CXRO 的 Nanowriter 輕微更比唯一人髮生產這些透鏡,有一個寬度。 這些微觀透鏡可能設想與 2,000x 放大的圖像。 照明凝聚控制是顯微鏡的一個唯一功能。 導致的 EUV 射線有像激光的凝聚。 重新建造照明到一個部分相干性狀態裡可能改進顯微學的分辨率。 在鋒利的顯微鏡的 beamline 反光板有可能操縱高連貫 ALS 光到模式和中斷和改造凝聚屬性的角度掃描鏡子。

來源: http://www.lbl.gov/

Last Update: 27. January 2012 01:12

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