Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

Работа Исследователей на Улучшении Технологии Вытравливания Плазмы для того чтобы Изготовить Nanoelectronics

Published on November 15, 2011 at 2:27 AM

Камероном Chai

В Наше Время, технология вытравливания плазмы широко использует для продукции полупроводниковых устройств на nano-маштабе вниз до 20 nm. Технологи Исследования Бегства теперь работают на выдвижении технологии вытравливания плазмы для того чтобы произвести даже более малые, более быстро и плотно упакованные универсальные обломоки.

Технология вытравливания Плазмы делает чувствительно определенные картины на изолируя (диэлектрик) и проводные слоях обломоков интегральной схемаы (IC). Этот метод способен компенсировать ограничения литографирования, оптически метода используемого для того чтобы создать шаблоны для производить nanoelectronic характеристики на вафлях кремния. Должно к более малому размеру транзисторов и других частей, метод литографированием не могл создать точные шаблоны для того чтобы установить миллионы транзисторов на малюсенькие ICs. Научные Работники теперь начинают весьма ультрафиолетов технологию литографированием для того чтобы решать этот вопрос.

Технология вытравливания Плазмы использована для того чтобы выпрямить рванины метода литографированием путем полировать края и паковать зазоры более малых частей обломока. Этот метод также расширяет возможности литографирования как двойник делая по образцу и сразу создавая структуры которые более малы в размере сравненном к тому из шаблонов. Однако, метод также имел свои основные ограничения причиненные основной закон химии и физики.

Технологи на Исследовании Бегства работают дальше эффективно для того чтобы манипулировать характеристики различных элементов плазмы, смеси газа нейтрали и запряженных частиц, в процессе вытравливания плазмы. Их цель тщательно вытравить один слой атома одновременно (вытравливание атомн-слоя), без влияния остальной части материала. Выдвижение технологии техника плазмы будет критическое для того чтобы произвести приборы бытовой электроники будущего поколения.

Источник: http://www.aps.org

Last Update: 12. January 2012 12:13

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit