在等离子蚀刻制造 Nanoelectronics 的技术改善的研究员工作

Published on November 15, 2011 at 2:27 AM

卡梅伦柴

现今,等离子蚀刻技术为半导体设备的生产是用途广泛在这个纳诺缩放比例下来到 20 毫微米。 潜逃研究技术专家在等离子蚀刻技术的推进现在工作生产更小,更快和紧密地被包装的多用途筹码。

等离子蚀刻技术在绝缘 (电介质) 和集成电路 (集成电路) 筹码的导电性层做精美地被定义的模式。 此技术能够补偿石版印刷,用于的一个光学技术的限制创建导致的 nanoelectronic 功能模板在硅片。 由于小型晶体管和其他零件,石版印刷技术不能创建准确模板安置百万在微小的集成电路上的晶体管。 科学家现在开发极其紫外石版印刷技术解决此问题。

等离子擦亮边缘和包装这个筹码的更小的部分的空白使用蚀刻技术纠正石版印刷技术的缺点。 此技术也扩大石版印刷的功能例如仿造和直接地创建在大小上是更小的与那模板比较的结构的双。 然而,这个技术也有化学和物理基本法造成的其基本的限制。

潜逃研究的技术专家工作高效地操作等离子,中立和荷电粒子混合气体的不同的要素的特性,在等离子蚀刻进程中。 他们的目标将每次仔细铭刻一块原子层 (基本层蚀刻),没有影响材料的剩余部分。 等离子技术技术进步将是重要导致远期生成家电设备。

来源: http://www.aps.org

Last Update: 12. January 2012 12:30

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