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在等離子蝕刻製造 Nanoelectronics 的技術改善的研究員工作

Published on November 15, 2011 at 2:27 AM

卡梅倫柴

現今,等離子蝕刻技術為半導體設備的生產是用途廣泛在這個納諾縮放比例下來到 20 毫微米。 潛逃研究技術專家在等離子蝕刻技術的推進現在工作生產更小,更快和緊密地被包裝的多用途籌碼。

等離子蝕刻技術在绝緣 (電介質) 和集成電路 (集成電路) 籌碼的導電性層做精美地被定義的模式。 此技術能够補償石版印刷,用於的一個光學技術的限制創建導致的 nanoelectronic 功能模板在硅片。 由於小型晶體管和其他零件,石版印刷技術不能創建準確模板安置百萬在微小的集成電路上的晶體管。 科學家現在開發極其紫外石版印刷技術解決此問題。

等離子擦亮邊緣和包裝這個籌碼的更小的部分的空白使用蝕刻技術糾正石版印刷技術的缺點。 此技術也擴大石版印刷的功能例如仿造和直接地創建在大小上是更小的與那模板比較的結構的雙。 然而,這個技術也有化學和物理基本法造成的其基本的限制。

潛逃研究的技術專家工作高效地操作等離子,中立和荷電粒子混合氣體的不同的要素的特性,在等離子蝕刻進程中。 他們的目標將每次仔細銘刻一塊原子層 (基本層蝕刻),沒有影響材料的剩餘部分。 等離子技術技術進步將是重要導致遠期生成家電設備。

來源: http://www.aps.org

Last Update: 27. January 2012 01:55

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