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Posted in | Nanoelectronics

Lo Studio Dimostra i Vantaggi della Tecnologia di FD-SOI per 20 e 28 Vertici Trattati di nanometro

Published on December 13, 2011 at 1:38 AM

Da Cameron Chai

Secondo una ricerca della giuntura effettuata da GLOBALFOUNDRIES, BRACCIO. IBM, STMicroelectronics ed altre ditte importanti a semiconduttore per la produzione dei 28 chip di nanometro facendo uso del trattamento completamente vuotato dell'silicio-su-isolante (FD-SOI), unità planari a semiconduttore sviluppate sui substrati di FD-SOI sono capaci di consegna della prestazione significativa ed alimentano i vantaggi una volta confrontati alle unità di CMOS da costruzione sui substrati del massa-silicio.

I risultati egualmente hanno confermato che la prestazione delle unità di FD-SOI è capace dell'accoppiamento della prestazione assicurata dalle unità di FinFET di 20 e 28 vertici di tecnologia della trasformazione di nanometro al più presto. Nella dimostrazione delle simulazioni silicio-calibrate dei circuiti complessi che comprendono i regolatori di memoria DDR3 e le memorie del BRACCIO al vertice di 28 nanometro, la tecnologia di FD-SOI ha consegnato la prestazione superiore sopra Tecnologia CMOS in serie persino durante l'abbassamento dell'alimentazione elettrica.

La tecnologia di FD-SOI consegna la prestazione ottimale equivalente a quella delle tecnologie per tutti gli usi colanti, ad una potenza di dispersione e ad una potenza dinamica di meno che quella può essere raggiunta dalle tecnologie a bassa potenza. Cammini critici i 28 del circuito di nanometro FD-SOI a 0,6 V erano due volte più velocemente di quella della tecnologia a bassa potenza e di 50% più veloci di quella della tecnologia per tutti gli usi.

La tecnologia di FD-SOI consuma la potenza di 40% più di meno utilizzando un'alimentazione elettrica più bassa per raggiungere la frequenza uguale dell'obiettivo. Permette il funzionamento di tutte le progettazioni delle unità digitali quale SRAMS ad un'alimentazione elettrica più bassa. La tecnologia egualmente ha confermato questi vantaggi alle 20 simulazioni di vertice di nanometro.

A potenza totale costante e basato sugli sforzi dell'ottimizzazione di progettazione, la prestazione ottimale della tecnologia di FD-SOI era 12% - 30% superiori a quello della tecnologia in serie progettata specialmente per il sistema-su-chip (SOC). Ha consumato la potenza di 40% - di 22% più di meno a frequenza operativa ottimale coerente e la sua prestazione a bassa potenza è stata aumentata di 65%. Il Direttore Esecutivo di SOI del Consorzio dell'Industria, Horacio Mendez ha specificato che il FD-SOI egualmente consegna il rischio minimo di produzione una volta confrontato a FinFET dovuto la sua capacità alloggiare le progettazioni planari.

Sorgente: http://www.soiconsortium.org

Last Update: 12. January 2012 14:29

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