Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Nanoelectronics

De Studie Toont Voordelen van Technologie f-d-SOI voor de Knopen van het 20 en 28 NMProces aan

Published on December 13, 2011 at 1:38 AM

Door Cameron Chai

Volgens een gezamenlijk die onderzoek door GLOBALFOUNDRIES, WAPEN wordt uitgevoerd. IBM, STMicroelectronics en andere belangrijke halfgeleidersfirma's voor het produceren van 28 NMspaanders die volledig uitgeput silicon-on-insulator (f-d-SOI) gebruiken proces, vlakdiehalfgeleiderapparaten op substraten f-d-SOI worden voortgebouwd kunnen significante prestaties en machtsvoordelen opleveren wanneer vergeleken die bij CMOS apparaten op bulk-siliciumsubstraten worden vervaardigd.

De bevindingen bevestigden ook dat de prestaties van de apparaten f-d-SOI de prestaties kunnen aanpassen door FinFET apparaten van de technologieknopen die van het 20 en 28 NMproces bij het vroegst worden verzekerd. In de demonstratie van silicium-gekalibreerde simulaties van ingewikkelde kringen DDR3 geheugen uit controlemechanismen bestaan en de kernen die van het WAPEN bij de 28 NMknoop, de technologie geleverde superieure prestaties f-d-SOI over bulkCMOS technologie zelfs tijdens het verminderen van de machtslevering.

De technologie f-d-SOI levert optimale prestaties gelijkwaardig aan dat van lekke algemeen doeltechnologieën, bij een lekkagemacht en dynamische macht kan minste dan dat door low-power technologieën worden bereikt. De kritieke wegen van de 28 NM f-d-SOI kring bij 0.6 V waren twee vouwen sneller dan dat van low-power technologie en 50% sneller dan dat van algemeen doeltechnologie.

De technologie f-d-SOI verbruikt 40% minder macht door een lagere machtslevering te gebruiken om de gelijke doelfrequentie te bereiken. Het staat de verrichting van alle ontwerpen van digitale apparaten zoals SRAMS bij een lagere machtslevering toe. De technologie bevestigde ook deze voordelen bij de simulaties van de 20 NMknoop.

Bij regelmatige totale macht en gebaseerd op de inspanningen van de ontwerpoptimalisering, waren de optimale prestaties van de technologie f-d-SOI 12% tot 30% hoger dan dat van bulkdietechnologie speciaal voor systeem-op-spaander wordt ontworpen (SOC). Het verbruikte 22% tot 40% minder macht bij verenigbare optimale werkende frequentie en zijn low-power prestaties werden verhoogd met 65%. De Uitvoerende Directeur van het Consortium van de Industrie SOI, Horacio Mendez verklaarde dat f-d-SOI ook minimaal productierisico wanneer vergeleken bij FinFET toe te schrijven aan zijn vermogen levert om vlakontwerpen te huisvesten.

Bron: http://www.soiconsortium.org

Last Update: 12. January 2012 14:23

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit