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Posted in | Nanoelectronics

O Estudo Demonstra Benefícios da Tecnologia de FD-SOI para 20 e 28 Nós do Processo do nanômetro

Published on December 13, 2011 at 1:38 AM

Por Cameron Chai

De acordo com uma pesquisa da junção realizada por GLOBALFOUNDRIES, BRAÇO. O IBM, STMicroelectronics e outras empresas principais dos semicondutores para produzir 28 microplaquetas do nanômetro usando o processo inteiramente esgotado do silicone-em-isolador (FD-SOI), os dispositivos de semicondutor planares construídos em carcaças de FD-SOI são capazes de entregar benefícios significativos do desempenho e da potência quando comparados aos dispositivos do CMOS fabricados em carcaças do volume-silicone.

Os resultados igualmente confirmaram que o desempenho dos dispositivos de FD-SOI é capaz de combinar o desempenho assegurado por dispositivos de FinFET de 20 e 28 nós da tecnologia de processamento do nanômetro no mais adiantado. Na demonstração de simulações silicone-calibradas dos circuitos intrincados que compreendem controladores da memória DDR3 e núcleos do BRAÇO no nó de 28 nanômetro, a tecnologia de FD-SOI entregou o desempenho superior sobre a tecnologia maioria do CMOS mesmo durante a redução da fonte de alimentação.

A tecnologia de FD-SOI entrega o desempenho óptimo equivalente àquele de tecnologias de uso geral gotejantes, em uma potência do escapamento e na potência dinâmica menos do que aquela pode ser conseguida por tecnologias da baixa potência. Trajectos críticos os 28 do circuito do nanômetro FD-SOI em 0,6 V eram duas dobras mais rapidamente do que aquela da tecnologia e de 50% da baixa potência mais rápidos do que aquela da tecnologia de uso geral.

A tecnologia de FD-SOI consome 40% menos potência utilizando uma fonte de uma mais baixa alimentação para conseguir a freqüência igual do alvo. Permite a operação de todos os projectos de dispositivos digitais tais como SRAMS em uma fonte de uma mais baixa alimentação. A tecnologia igualmente confirmou estes benefícios nas 20 simulações do nó do nanômetro.

Na potência total constante e baseado em esforços da optimização de projecto, o desempenho óptimo da tecnologia de FD-SOI era 12% a 30% mais altos do que aquele da tecnologia maioria projetada especialmente para a sistema-em-microplaqueta (SOC). Consumiu 22% a 40% menos potência na freqüência de funcionamento óptima consistente e seu desempenho da baixa potência foi aumentado por 65%. O Director Executivo do Consórcio da Indústria de SOI, Horacio Méndez indicou que o FD-SOI igualmente entrega o risco mínimo da produção quando comparado a FinFET devido a sua capacidade abrigar projectos planares.

Source: http://www.soiconsortium.org

Last Update: 12. January 2012 14:38

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