Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Nanoelectronics

Изучение Демонстрирует Преимущества Технологии FD-SOI для 20 и 28 Узлов nm Отростчатых

Published on December 13, 2011 at 1:38 AM

Камероном Chai

Согласно исследованию соединения унесенному GLOBALFOUNDRIES, РУКОЯТКА. IBM, STMicroelectronics и другие главные фирмы полупроводников на производить 28 обломоков nm используя польностью истощенный процесс кремния на изоляторе (FD-SOI), плоскостные полупроводниковые устройства построенные на субстратах FD-SOI способны поставлять значительно преимущества представления и силы сравнивано к приборам CMOS изготовленным на субстратах больш-кремния.

Заключения также подтвердили что представление приборов FD-SOI способно соответствовать представлению убеженному приборами FinFET 20 и 28 узлов технологического прочесса nm на самом предыдущем. В демонстрации кремни-откалибрированных имитаций затейливых цепей состоя из регуляторов памяти DDR3 и сердечников РУКОЯТКИ на узле 28 nm, технология FD-SOI поставила главное представление над навальной технологией CMOS даже во время понижать электропитания.

Технология FD-SOI поставляет оптимальную производительность соответствующую к той из пропускающий влагу общецелевых технологий, на силе утечки и динамической силе меньшие чем то может быть достигано малоэнергичными технологиями. Критических путей 28 цепи nm FD-SOI на 0,6 V были 2 створки более быстро чем то из малоэнергичной технологии и 50% более быстрых чем та из общецелевой технологии.

Технология FD-SOI уничтожает 40% меньше силы путем использовать более низкое электропитание для того чтобы достигнуть равной частоты цели. Она позволяет деятельности всех конструкций цифровых приборов как SRAMS на более низком электропитании. Технология также подтвердила эти преимущества на 20 имитациях узла nm.

На устоичивой полной силе и основано на усилиях оптимизирования конструкции, оптимальная производительность технологии FD-SOI была 12% до 30% более высокими чем та из навальной технологии специально конструированной для систем-на-обломока (SOC). Она уничтожила 22% к 40% меньше силы на последовательной оптимальной равочей частоте и свое малоэнергичное представление было увеличено 65%. Руководитель Консорциума Индустрии SOI, Horacio Mendez заявил что FD-SOI также поставляет минимальный риск продукции сравнивано к FinFET должному к своей возможности для того чтобы расквартировать плоскостные конструкции.

Источник: http://www.soiconsortium.org

Last Update: 12. January 2012 14:40

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit