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Posted in | Nanoelectronics

研究展示 FD-SOI 技術的福利 20 個和 28 個毫微米處理節點的

Published on December 13, 2011 at 1:38 AM

卡梅倫柴

根據 GLOBALFOUNDRIES 進行的聯接研究,胳膊。 IBM、 STMicroelectronics 和其他主要半導體固定生產的 28 個毫微米籌碼使用充分地被耗盡的绝緣體上硅薄膜 (FD-SOI) 進程,在 FD-SOI 基體建立的平面半導體設備能够提供重大的性能和功率福利,當與在批量項目貨簽硅基體製造的 CMOS 設備比較。

發現也確認 FD-SOI 設備的性能能够符合 20 個和 28 個毫微米加工技術節點 FinFET 設備保證的性能最早。 在複雜電路的硅被校準的模擬的演示包括 DDR3 內存管理員和胳膊核心的在 28 毫微米節點, FD-SOI 技術提供了在批量 CMOS 技術的優越性能即使在降低供電期間。

FD-SOI 技術比那可以由低功率技術提供最佳性能等同與那漏的通用技術,在損失功率和動態功率較少達到。 在 0.6 V 的 28 nm FD-SOI 電路的關鍵路徑比那比那快速地是二摺疊低功率技術和 50% 快速通用技術。

FD-SOI 技術通過使用一件低功率用品達到等於目標頻率消耗 40% 較少功率。 它允許數字式設備所有設計的運算例如 SRAMS 在一件低功率用品。 技術也確認了這些福利在 20 毫微米節點模擬。

在平穩的總功率和基於設計最優化工作成績, FD-SOI 技術的最佳性能高於為系統在籌碼特殊地設計的那是 12% 到 30% 批量技術 (SOC)。 它消耗了 22% 到 40% 較少功率以一致的最佳的操作頻率,并且 65% 增加其低功率性能。 SOI 行業財團的執行董事,霍拉西奧門德斯闡明, FD-SOI 也提供最小的生產風險,當與 FinFET 比較由於其功能安置平面設計。

來源: http://www.soiconsortium.org

Last Update: 27. January 2012 02:37

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