Новое Партнерство для того чтобы Начать Ультра-Отмелые Соединения для Производить Полупроводники Sub-14 nm

Published on December 21, 2011 at 1:34 AM

Камероном Chai

SEMATECH покрыло краской дело партнерства с Экраном Mfg. Dainippon для того чтобы начать и commercialize изощренный полупроводник давая допинг технологии для продукции полупроводника sub-14 nm.

Dainippon будет партнером при SEMATECH на активации и монослой давая допинг технологиям которые можно использовать с ультра-отмелыми соединениями для non-плоскостных и более плоских технологий оборудования как памяти, nanowires и FinFETs в non-кремнии и кремни-основанных главных материалах удобоподвижности.

Предварительные разрешения будут начаты для продукции полупроводникового устройства для уменьшения утечки причиненной электростатическим повреждением управления и процесса для того чтобы достигнуть минимальной диссипации силы и быстрых скоростей транзистора. Дефект-Свободные, скачком и ультра-отмелые соединения имея высокую концентрацию активных dopants необходимы для того чтобы достигнуть более лучшего управления над утечкой -положения в сегодняшнем более обширно вычисленном по маштабу nanoelectronics.

Важность давать допинг conformality и более низкому повреждению решетки everincreasing должные к прибытию полупроводников сделанных высоких смесей удобоподвижности и non-плоскостных конструкций прибора. Монослой давая допинг, вытекая конформный давая допинг и дефект-свободный технология будет изучен и будет начат для коммерчески целей.

Президент Dainippon Парковая Рота Полупроводника s Экрана Mfg. ', Tadahiro Suhara заявил что компания счастлива быть партнером с SEMATECH и своими предварительными соучастниками индустрии для начинать изощренные давая допинг методы для приборов будущего поколения. Это сотрудничество сыграет главную роль в выдвигаясь процессах отжига и решать родственные проблемы дефекта для производителей для того чтобы вычислить по маштабу вверх приборы CMOS, он сказал.

Президент SEMATECH и Генеральный Директор, Дэн Armbrust заявили что предварительные отростчатые методы как давать допинг монослоя критические для того чтобы позволить преобразованиям к удобоподвижности non-кремния высокой и к non-плоскостным каналам, пока уменьшающ процесс-родственные повреждение, сложность и цену.

Источник: http://www.sematech.org

Last Update: 11. January 2012 04:32

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit