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开发生产的子14 nm 半导体超浅连接点的新的合伙企业

Published on December 21, 2011 at 1:34 AM

卡梅伦柴

SEMATECH 着墨与 Dainippon 屏幕 Mfg. 的合伙企业交易开发和把掺杂子14 nm 半导体生产的复杂的半导体商业化技术。

Dainippon 与在启动的掺杂可以使用与超浅连接点为非平面和更加平面的设备技术例如内存、 nanowires 和 FinFETs 在非硅和基于硅的优越流动性材料的技术的 SEMATECH 和单层将成为伙伴。

先进的解决方法将被开发为了半导体设备生产能减少静电控制和进程故障造成的渗流为了获得最小的功率耗散和迅速晶体管速度。 有无瑕疵,突然和超浅的连接点有效的掺杂物的高浓度是必要达到对断路状态的损失的更好的控制在今天巨大地被称的 nanoelectronics。

掺杂正形性和更低的格子故障的重要性持续增长归结于半导体到达由高流动性化合物和非平面的设备设计做成。 无瑕疵的技术的单层掺杂,一涌现的保形掺杂和为商业目的将被学习并且被开发。

Dainippon 屏幕 Mfg. 的总统 ' s 半导体设备公司, Tadahiro Suhara 阐明,这家公司是愉快与 SEMATECH 和其先进的行业合作伙伴成为伙伴的开发复杂的掺杂的方法远期生成设备的。 此协作在提前的焖火进程将扮演主角,并且解决生产者的相关缺陷问题能按比例提高 CMOS 设备,他说。

SEMATECH 的总裁兼首席执行官,丹 Armbrust 阐明,象单层掺杂的先进的处理技术是重要允许转换到非硅高流动性和到非平面的通道,当减少进程关连的故障、复杂和费用时。

来源: http://www.sematech.org

Last Update: 11. January 2012 04:15

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