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Samsung Produit des eMCPs en série Comportant 30 la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE et le Flash e-MMC du nanomètre LPDDR2 de NON-ET de 20 nanomètre

Published on January 20, 2012 at 1:49 AM

Par Cameron Chai

Samsung Electronics a commencé la production de masse de la mémoire incluse de module (eMCP) de multi-puce pour l'entrée favorisant la croissance au marché des smartphones à mi-niveau.

Les solutions neuves de mémoire d'eMCP sont offertes dans un choix grand de densités. Elles sont fabriquées en modules comportant 20 GBS implantées en mémoire instantanées e-MMC de NON-ET classe du nanomètre 4 pour le stockage de données et la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE 30 LPDDR2 classe du nanomètre avec des options du MB 256, 512 ou 768 pour aider des systèmes de périphérique mobile de performances supérieures. Elles offrent le procédé de design simple pour fixer des révélateurs à la main, tout en fournissant une plus longues durée de vie et performances améliorées de batterie à l'entrée aux smartphones à mi-niveau.

Avec la puce de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE 30 LPDDR2 classe du nanomètre, l'eMCP neuf aide à améliorer la performance de l'entrée aux smartphones à mi-niveau en offrant 1.066 Mbps de vitesse de transfert de données, une valeur de performance deux fois plus haut que cela des Drachmes mobiles plus précoces.

Sur la comparaison avec 40 une MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de la classe LPDDR2 de nanomètre, la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE 30 LPDDR2 classe du nanomètre améliore la performance approximativement de 30%, tout en réduisant la consommation d'énergie de 25%. La technologie de la transformation 30 classe du nanomètre augmente la productivité de fabrication de puce de 60% si comparée à la technologie de la transformation 40 classe du nanomètre.

Samsung a commencé à offrir la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE classe du nanomètre du Gigaoctet LPDDR2 des performances supérieures 30 4 en mars 2011. La compagnie a offert les solutions à haute densité, y compris 2 le module de la GB LPDDR2 empilant quatre 4 la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE du Gigaoctet LPDDR2 en octobre 2011. Pendant le même mois, la compagnie a commencé à employer 30 Drachmes LPDDR2 classe du nanomètre pour ses eMCPs. La compagnie a relâché ses eMCPs plus précoces comportant la mémoire d'eMMC de la GB 32 basée sur 20 flashes classe du nanomètre de NON-ET et 1 MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE LPDDR2 classe du nanomètre de la GB 30 pour le marché des smartphones à extrémité élevé.

Source : http://www.samsung.com

Last Update: 22. January 2012 10:25

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