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Samsung は 30 nm LPDDR2 のドラムおよび 20 nm 否定論履積のフラッシュ e MMC を特色にする eMCPs を大量生産します

Published on January 20, 2012 at 1:49 AM

カメロンシェ著

サムソング・エレクトロニックスは中間レベルの smartphone の市場に成長によって方向づけられる (eMCP)エントリのための埋め込まれた複数のチップパッケージのメモリの大量生産を始めました。

新しい eMCP のメモリ解決は密度の広いアレイで提供されます。 それらは優秀パフォーマンスモバイル機器システムの援助の 256、 512 か 768 MB のオプションのデータ記憶そして 30 nm クラスの LPDDR2 ドラムのための 20 nm クラスの否定論履積フラッシュメモリに基づいた 4 GB e MMC から成り立つパッケージで製造されます。 それらは中間レベルの smartphones により長い電池の寿命および改善されたパフォーマンスをエントリに提供している間開発者の活字を手で組むためにシンプルな設計プロセスを提供します。

30 nm クラスの LPDDR2 DRAMチップによって、新しい eMCP はデータ伝送の速度、パフォーマンス値の 1,066 Mbps をより早い移動式ドラムのそれの 2 倍高く提供することによって中間レベルの smartphones にエントリのパフォーマンスを改善することを助けます。

40 nm クラス LPDDR2 のドラムの比較で、 30 nm クラスの LPDDR2 ドラムは 25% によって大体 30% によってパフォーマンスを、が減少のパワー消費量改善します。 30 nm クラスの加工技術は 60% 40 nm クラスの加工技術と比較されたときチップ製造業生産性を高めます。

Samsung は優秀パフォーマンスに 2011 年 3 月 30 nm クラスの 4 GB LPDDR2 のドラムを提供し始めました。 会社は 2 4 4 2011 年 10 月 GB LPDDR2 のドラムをスタックする GB LPDDR2 のパッケージを含む高密度解決を、提供しました。 同じ月では、会社は eMCPs のために 30 nm クラスの LPDDR2 ドラムを利用し始めました。 会社はハイエンド smartphone の市場のための 20 nm クラスの否定論履積のフラッシュそして 1 GB の 30 nm クラスの LPDDR2 ドラムに基づいて 32 GB の eMMC のメモリを特色にするより早い eMCPs を解放しました。

ソース: http://www.samsung.com

Last Update: 22. January 2012 10:27

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