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A Massa de Samsung Produz os eMCPs que Caracterizam 30 a GOLE do nanômetro LPDDR2 e o Flash e-MMC de 20 nanômetro NAND

Published on January 20, 2012 at 1:49 AM

Por Cameron Chai

Samsung Electronics começou a produção em massa de memória encaixada do pacote (eMCP) da multi-microplaqueta para a entrada favorecendo o crescimento ao mercado de nível médio do smartphone.

As soluções novas da memória do eMCP são oferecidas em uma disposição larga de densidades. São manufacturados nos pacotes que compreendem MB 20 a nanômetro-classe o flash do NAND que memória-baseou 4 GB E-MMC para a GOLE do armazenamento de dados e 30 da nanômetro-classe LPDDR2 com opções de 256, 512 ou 768 para ajudar a sistemas do dispositivo móvel do superior-desempenho. Oferecem o processo de projecto simples ajustar reveladores, ao entregar uma vida da bateria mais longa e o desempenho melhorado à entrada aos smartphones de nível médio.

Com 30 a microplaqueta de GOLE da nanômetro-classe LPDDR2, o eMCP novo ajuda a melhorar o desempenho da entrada aos smartphones de nível médio oferecendo 1.066 Mbps da velocidade da transmissão de dados, um valor do desempenho duas vezes mais altamente do que aquela de umas Goles móveis mais adiantadas.

Na comparação com 40 uma GOLE da classe LPDDR2 do nanômetro, 30 a GOLE da nanômetro-classe LPDDR2 melhorar o desempenho por aproximadamente 30%, quando consumo de potência da diminuição por 25%. Os 30 aumentos da tecnologia de processamento da nanômetro-classe lascam a produtividade de fabricação por 60% quando comparados à tecnologia de processamento de 40 nanômetro-classes.

Samsung começou oferecer a GOLE do Gb LPDDR2 da nanômetro-classe 4 do superior-desempenho 30 em março de 2011. A empresa ofereceu as soluções high-density, incluindo 2 o pacote do GB LPDDR2 que empilha quatro 4 a GOLE do Gb LPDDR2 em outubro de 2011. No mesmo mês, a empresa começou a utilizar 30 Goles da nanômetro-classe LPDDR2 para seus eMCPs. A empresa liberou seus eMCPs mais adiantados que caracterizam a memória do eMMC de 32 GB baseada na GOLE do flash do NAND de 20 nanômetro-classes e da nanômetro-classe LPDDR2 de 1 GB 30 para o mercado do smartphone da parte alta.

Source: http://www.samsung.com

Last Update: 22. January 2012 10:29

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