Масса Samsung Производит eMCPs Отличая 30 ДРАХМОЙ nm LPDDR2 и Вспышкой e-MMC 20 nm NAND

Published on January 20, 2012 at 1:49 AM

Камероном Chai

Samsung Electronics начал массовое производство врезанной памяти пакета (eMCP) multi-обломока для входа ориентированного ростом к среднего уровня рынку smartphone.

Новые разрешения памяти eMCP предложены в обширном блоке плотностей. Они изготовлены в пакетах состоя из MB 20 nm-типа вспышка NAND памят-основала 4 GB e-MMC для ДРАХМЫ хранения данных и 30 nm-типа LPDDR2 с вариантами 256, 512 или 768 для помощи систем мобильного устройства главн-представления. Они предлагают простой процесс проектирования для того чтобы handset проявители, пока поставляющ более длиннее время работы от батарей и улучшенное представление к входу к среднего уровня smartphones.

С 30 обломоком ДРАХМЫ nm-типа LPDDR2, новое eMCP помогает улучшить представление входа к среднего уровня smartphones путем предлагать 1.066 Mbps из скорости передачи данных, значения представления 2 времени более высоко чем та из более предыдущих передвижных Драхм.

На сравнении с 40 nm ДРАХМОЙ типа LPDDR2, 30 ДРАХМА nm-типа LPDDR2 улучшает представление грубо 30%, пока уменьшающ расход энергии 25%. Технологический прочесс 30 nm-типов увеличивает урожайность изготавливания обломока 60% сравнивано к технологическому прочессу 40 nm-типов.

Samsung начал предложить ДРАХМУ Gb LPDDR2 nm-типа 4 главн-представления 30 в марте 2011. Компания предложила high-density разрешения, включая 2 пакет GB LPDDR2 штабелируя 4 4 ДРАХМУ Gb LPDDR2 в октябре 2011. В таком же месяце, компания начала использовать 30 Драхм nm-типа LPDDR2 для своих eMCPs. Компания выпустила свои более предыдущие eMCPs отличая памятью eMMC 32 GB основанной на ДРАХМЕ вспышки NAND 20 nm-типов и nm-типа LPDDR2 1 GB 30 для лидирующего рынка smartphone.

Источник: http://www.samsung.com

Last Update: 22. January 2012 10:30

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit