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研究顯示 Nanowires 基本缺陷影響傳導性

Published on February 15, 2012 at 1:22 AM

卡梅倫柴

安屏導致的微觀研究李從能源部的橡樹嶺國家實驗室在世界上展示唯一原子可能啟用數量 nanowires 開/關電子屬性,其中一個最微小的被認可的導體。

一一維數量 nanowire (參見以在左的黃色) 可能從導體啟用到裝绝緣體工增加一個唯一基本缺陷,根據從橡樹嶺國家實驗室的微觀分析。 捆綁 nanowires (正確) 一般是更加穩定的,導致改善導率。 (赊帳: 安屏李和 Shengyong Qin/ORNL)

研究小組解釋了執行的在他們的電子工作情況的 nanowires 的影響』原子結構使用多個探測掃描挖洞顯微學。 它向顯示一執行的 nanowire 可以被轉換成裝绝緣體工被封鎖電子路徑穿過一個唯一原子範圍的缺陷的故意簡介。 它學習了 nanowires 由釓硅化物 (GdSi2) 製成。

根據李, GdSi2 nanowires 是可以使用作為一種基本成分在數量電子結構的一維導體。 他們的與傳統硅技術的兼容性實現他們的在 nanoelectronic 設備的使用。 當它是非常小的時,導體變得高靈敏對基本缺陷。 如果電匯或導體大,電子能查找供選擇性的路徑。 然而,電子沒有路徑逃脫與一微小的 nanowire。 當一些個缺陷被引入到此 nanowire 時,他們關閉 nanomaterial 的導率,因而做它裝绝緣體工,李解釋了。

研究小組發現了在包括兩個或多個 nanowires 的 nanowire 捆綁的一個不同的工作情況,查出在仅一些個埃距離。 李解釋 nanowire 捆綁的 interwire 聯結提供一個穩定效應到這個結構,因而做它一個更好的導體。 它是涉及電子調用到結構上的要素例如單點雜質或缺陷在 nanowires 故意地被開發的第一個關聯的分析。

研究發現在納諾信函,美國化學會日記帳報告了。

來源: http://www.ornl.gov

Last Update: 18. February 2012 08:08

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