Tegal Setzt Diskussionen fort, um Restlichen Nano-Schicht-Absetzungs-Patent-Effektenbestand Zu Verkaufen

Published on February 16, 2012 at 12:58 AM

Durch Cameron Chai

Tegal erklärte, dass es aktuell in den Diskussionen ist, zum des vierten Lots seines Nano-Schichtabsetzungs-Patenteffektenbestands Betreffend Halbleiterprozesse zu verkaufen.

Der restliche Effektenbestand umfaßt Verfahrenstechniken und Zellen des Dünnfilms Betreffend niedrig--K Nichtleiter- und Kupfersperrentechnologien. Tegal hatte die Lots seines Nano-Schichtabsetzungspatent-Effektenbestands 1-3 verkauft und mehr als 30 Patente, zu einigen Bewerbern am 30. Dezember 2011 enthalten für eine Gesamtmenge von ungefähr $4 Million. Investitionsgüterhersteller zeigten Zinsen an diesen Patenten, während geistiges Eigentum (IP) Aggregators und IS-Einheitshersteller Zinsen am vierten Lot zeigen.

Integrierte Prozesse sind eine wesentliche Stufe jeder integrierten Verarbeitungsmethode für hoch entwickelte niedrig--K Dielektrika, die poröse niedrig--K Filme verwenden. Außerdem Tegals enthält Patenteffektenbestand Lösungen für Beitrittsschichten und zusammengesetzte Sperrschichten für kupferne Aufdampfenstrategien, die ausgefallen haben, für chemisches Bedampfen, Nano-Schichtabsetzung, Atomschichtabsetzung beträchtlicher zu sein von mehrfachen Schichten wie Sperrschichten, von Beitrittsschichten und von Startwert- für Zufallsgeneratorschichten MO, Ru oder Cu.

Ersatz zu vorhandenen körperlichen Bedampfenmethoden mit Atomschichtabsetzungsmethoden und ihren Derivaten wird erforscht, um die Anforderungen für verbesserte Schrittdichte, höhere Längenverhältnisse und Regelung der Cudiffusion zu erfüllen. Diese Notwendigkeiten erhöhen der Reihe nach Nachfragen auf der genauen Regelung von hoch entwickelten Aufdampfenentwürfen, besonders an den niedrigeren Aufdampfenschichten auf hoch entwickelten CMOS-Einheiten.

Zu die Schrittdichtebeschränkungen von körperlichen Bedampfenmethoden brechen, sollen Entwickler abhängig von Nano-Schichtabsetzung und Atomschichtabsetzungstechniken für das Aufbauen des Startwertes für Zufallsgenerator, des Beitrittes und der Sperrschichten mit Atomschichtgenauigkeit und der Regelung der Stöchiometrie, der Einheitlichkeit und der Stärke. Durch Tegals Patente können IP-Aggregators und IS-Entwickler ihren Patenteffektenbestand für hoch entwickelte Aufdampfenentwürfe verstärken, besonders ideal für die Transformation vom körperlichen Bedampfen zur Atomschichtabsetzung und zu anderen Schicht-durchschicht Methoden.

Quelle: http://www.tegal.com/

Last Update: 18. February 2012 08:12

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