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Tegal Continúa Discusiones Para Vender la Cartera Nana Restante de la Patente de la Deposición de la Capa

Published on February 16, 2012 at 12:58 AM

Por Cameron Chai

Tegal declaró que está actualmente en las discusiones para vender el cuarto lote de su cartera nana de la patente de la deposición de la capa referente a procesos del semiconductor.

La cartera restante reviste tecnologías de proceso y las estructuras de la película fina referente a tecnologías inferiores-k de la barrera del dieléctrico y del cobre. Tegal había vendido los lotes de su de la capa de la deposición cartera nana de la patente 1-3, comprendiendo más de 30 patentes, a varios licitadores para un importe total de áspero $4 millones el 30 de diciembre de 2011. Los fabricantes de equipamiento De Capital mostraron interés en estas patentes, mientras que los aggregators de la propiedad (IP) intelectual y los fabricantes del dispositivo de IC están mostrando interés en el cuarto lote.

Los procesos Integrados serán un escenario esencial de cualquier método de tramitación integrado para los dieléctricos inferiores-k sofisticados que utilizan las películas inferiores-k porosas. Por Otra Parte, la cartera de la patente de Tegal comprende las soluciones para las capas de la adherencia y las capas de barrera compuestas para las estrategias de cobre de la metalización, que han resultado ser más importantes para la deposición de vapor químico, deposición nana de la capa, deposición atómica de la capa de capas múltiples tales como capas de barrera, capas de la adherencia, y capas del germen de MES, de Ru o de Cu.

Los Reemplazos a los métodos físicos existentes de la deposición de vapor con métodos atómicos de la deposición de la capa y sus derivados se están explorando para satisfacer los requisitos para el cubrimiento mejorado del paso de progresión, relaciones de aspecto más altas, y el mando de la difusión del Cu. Estas necesidades a su vez aumentan demandas en el mando exacto de los esquemas sofisticados de la metalización, especialmente en las capas más inferiores de la metalización en los dispositivos sofisticados del CMOS.

Para romper las restricciones del cubrimiento del paso de progresión de los métodos físicos de la deposición de vapor, los reveladores están dependiendo de deposición nana de la capa y las técnicas atómicas de la deposición de la capa para construir el germen, las capas de la adherencia y de barrera con exactitud atómica de la capa y mando de la estequiometría, de la uniformidad, y del espesor. Con las patentes de Tegal, los aggregators del IP y los reveladores de IC pueden fortalecer su cartera de la patente para los esquemas sofisticados de la metalización, especialmente ideal para la transformación de la deposición de vapor física a la deposición atómica de la capa y a otros métodos de la capa-por-capa.

Fuente: http://www.tegal.com/

Last Update: 18. February 2012 08:21

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