Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D

Tegal Zet Besprekingen voort om het Blijven Te Verkopen Nano Portefeuille van het Octrooi van het Deposito van de Laag

Published on February 16, 2012 at 12:58 AM

Door Cameron Chai

Tegal verklaarde dat het momenteel in besprekingen is om de vierde partij van zijn nano het octrooiportefeuille van het laagdeposito betreffende halfgeleiderprocessen te verkopen.

De resterende portefeuille behandelt de technologieën van het dunne filmproces en structuren betreffende diëlektrisch laag-k en de technologieën van de koperbarrière. Tegal had partijen 1-3 van zijn nano het octrooiportefeuille van het laagdeposito verkocht, bestaand meer dan uit 30 octrooien, aan verscheidene bieders voor een totaal ruwweg $4 miljoen op 30 December, 2011. De investeringsgoederenfabrikanten toonden rente in deze octrooien, terwijl intellectuele eigendom (IP)aggregators en de het apparatenfabrikanten van IC rente in de vierde partij tonen.

De Geïntegreerde processen zullen een essentieel stadium van om het even welk geïntegreerd verwerkingsprocédé voor verfijnde diëlektrica zijn laag-k die poreuze films laag-k gebruiken. Voorts bestaat de het octrooiportefeuille van Tegal uit oplossingen voor adhesielagen en samengestelde barrièrelagen voor de strategieën van de kopermetallisering, die voor chemische dampdeposito, nano laagdeposito, atoomlaagdeposito van veelvoudige lagen zoals barrièrelagen, adhesielagen, en zaadlagen van Mo, Ru of Cu significanter zijn gebleken.

De Substituten aan de bestaande fysieke methodes van het dampdeposito met de atoommethodes van het laagdeposito en hun derivaten worden onderzocht om de eisen ten aanzien van betere stapdekking, hogere aspectverhoudingen, en controle van de verspreiding van Cu te vervullen. Deze noodzaak verhoogt beurtelings eisen op de nauwkeurige controle van verfijnde metalliseringsregelingen, vooral bij de lagere metalliseringslagen op verfijnde CMOS apparaten.

Om de beperkingen van de stapdekking van de fysieke methodes van het dampdeposito te breken, zijn de ontwikkelaars afhankelijk van nano laagdeposito en de atoomtechnieken van het laagdeposito om het zaad, de adhesie en de barrièrelagen met atoomlaagnauwkeurigheid en controle van de stoichiometrie, uniformiteit, en dikte te bouwen. Door de octrooien van Tegal, IP kunnen aggregators en de ontwikkelaars van IC hun octrooiportefeuille voor verfijnde metalliseringsregelingen, vooral versterken ideaal voor de transformatie van fysiek dampdeposito aan atoomlaagdeposito en andere laag-door-laag methodes.

Bron: http://www.tegal.com/

Last Update: 18. February 2012 08:10

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit