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Tegal 继续讨论出售剩余的纳诺层证言专利投资组合

Published on February 16, 2012 at 12:58 AM

卡梅伦柴

Tegal 宣称它当前在讨论出售第四批次其纳诺层证言专利投资组合关于半导体进程。

这个剩余的投资组合包括薄膜加工技术和结构关于低的 k 电介质和铜障碍技术。 Tegal 为一个的总数大致 $4 百万出售其纳诺层证言专利投资组合的批次 1-3,包括超过 30 个专利,对几个投标人在 2011年 12月 30日。 资本器材制造商在这些专利上表示了兴趣,而知识产权 (IP)聚合器和集成电路设备制造商在第四批次上表示兴趣。

联合过程将是所有联合过程方法一个重要阶段使用多孔低的 k 影片的复杂的低的 k 电介质的。 而且, Tegal 的专利投资组合包括黏附力层和综合阻挡层的解决方法铜金属化方法的,结果是重大为化学气相沉积,纳诺层证言,多个层基本层证言例如阻挡层、黏附力层和 Mo、 Ru 或者古芝种子层。

对现有的实际蒸气喷镀方法的替代项与基本层证言方法和他们的衍生商品测试执行被改进的步骤覆盖范围、更高的古芝扩散长宽比和控制的需求。 这些必要性反之增加在复杂的金属化模式准确控制的需求,特别是在复杂的 CMOS 设备的更低的金属化层。

要中断实际蒸气喷镀方法的步骤覆盖范围限制,开发员根据纳诺层证言和基本层证言技术的编译种子、黏附力和化学计量学、均一和厚度阻挡层与基本层准确性和控制。 通过 Tegal 的专利, IP 聚合器和集成电路开发员能加强他们的复杂的金属化模式的专利投资组合,特别理想对从实际蒸气喷镀的转换到基本层证言和其他层由层方法。

来源: http://www.tegal.com/

Last Update: 18. February 2012 08:07

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