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Tegal 繼續討論出售剩餘的納諾層證言專利投資組合

Published on February 16, 2012 at 12:58 AM

卡梅倫柴

Tegal 宣稱它當前在討論出售第四批次其納諾層證言專利投資組合關於半導體進程。

這個剩餘的投資組合包括薄膜加工技術和結構關於低的 k 電介質和銅障礙技術。 Tegal 為一個的總數大致 $4 百萬出售其納諾層證言專利投資組合的批次 1-3,包括超過 30 個專利,對幾個投標人在 2011年 12月 30日。 資本器材製造商在這些專利上表示了興趣,而知識產權 (IP)聚合器和集成電路設備製造商在第四批次上表示興趣。

聯合過程將是所有聯合過程方法一個重要階段使用多孔低的 k 影片的複雜的低的 k 電介質的。 而且, Tegal 的專利投資組合包括黏附力層和綜合阻擋層的解決方法銅金屬化方法的,結果是重大為化學氣相沉積,納諾層證言,多個層基本層證言例如阻擋層、黏附力層和 Mo、 Ru 或者古芝種子層。

對現有的實際蒸氣噴鍍方法的替代項與基本層證言方法和他們的衍生商品測試執行被改進的步驟覆蓋範圍、更高的古芝擴散長寬比和控制的需求。 這些必要性反之增加在複雜的金屬化模式準確控制的需求,特別是在複雜的 CMOS 設備的更低的金屬化層。

要中斷實際蒸氣噴鍍方法的步驟覆蓋範圍限制,開發員根據納諾層證言和基本層證言技術的編譯種子、黏附力和化學計量學、均一和厚度阻擋層與基本層準確性和控制。 通過 Tegal 的專利, IP 聚合器和集成電路開發員能加強他們的複雜的金屬化模式的專利投資組合,特別理想對從實際蒸氣噴鍍的轉換到基本層證言和其他層由層方法。

來源: http://www.tegal.com/

Last Update: 18. February 2012 08:08

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