Научные Работники Используют Диамант-Основанные Материалы Nanoscale для того чтобы Улучшить Эффективность Электронику'

Published on March 15, 2012 at 5:50 AM

Камероном Chai

Лаборатория Argonne Национальная на Министерстве Энергетики США дирижировала 2 новых изучения, которое показали романный метод для того чтобы расследовать свойства фильмов nanocrystalline-диаманта тонких. Это самое последнее открытие может вымостить путь увеличить представление специфических типов интегральных схема, и это повышение может быть достигано путем уменьшать «термальный бюджетю» интегральных схема.

Anirudha Sumant, nanoscientist Argonne, информированное то на несколько лет инженеры имеют стремилось развить предварительные и эффективные электронные устройства путем уменьшать размер их компоненты'. Пока делающ так, научные работники достигали «термальный bottleneck», при котором излишная жара произвела в ударах электронного устройства свое представление. Единственный путь отжать эту проблему извлечь эту излишную жару от электроники.

Фильмы Диаманта тонкие имеют уникально термальные свойства, которые сделали исследователей для того чтобы предложить что этот материал можно использовать как теплоотвод который можно совместить с различными semiconducting материалами. Однако, фильмы диаманта требуют высоких температур низложения которые могут превысить 800°C, таким образом преграждая выживаемость этого метода.

Sumant информированное которому диамант снимает потребность быть произведенным на самой низкой температуре. Когда эти фильмы произведены на 400°C, возможно совместить этот материал с разными видами материалов полупроводника.

Sumant и другие nanoscientists прикладные романный метод, который дорабатывает процедуру по низложения фильмов диаманта. Через этот метод, они были успешны в приносить вниз с температуры к 400°C и также регулировали свойства фильмы диаманта' термальные путем контролировать их размер зерна. Это позволило внедрению диаманта с 2 другими ключевыми материалами как нитрид и graphene галлия.

Дальнейшее Sumant добавленное что сравнивано к окиси кремния или кремнию, диамант имеет более лучшие свойства тепловой проводимости. Кремний типично использован для развивать приборы graphene. Улучшенный отбор тепла позволит диамант-основанным приборам graphene поддерживать более сильнотоковые плотности.

В втором изучении, Sumant прикладное такая же технология для того чтобы интегрировать нитрид галлия с фильмами диаманта тонкими. Бывший материал использован в высокомощном СИД. После депозировать фильм диаманта толщины 300 nm на субстрате нитрида галлия, научные работники наблюдали замечательным улучшением в термальном представлении.

Результаты изучений были опубликованы в Предварительных Функциональных Материалах и Nano Письмах.

Источник: http://www.anl.gov/

Last Update: 15. March 2012 07:08

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit