科学家使用基于金刚石的 Nanoscale 材料改进电子’效率

Published on March 15, 2012 at 5:50 AM

卡梅伦柴

美国能源部的 Argonne 国家实验室进行了二新的研究,显示新颖的方法调查 nanocrystalline 金刚石薄膜属性。 此最新的发现可能铺平道路提高集成电路的特定类型性能,并且此改进可以通过使 “热量预算值”达到集成电路减到最小。

Anirudha Sumant, Argonne nanoscientist,通知工程师几年有努力通过使他们的要素减到最小发展先进和高效的电子设备’范围。 当执行如此时,科学家到达了 “热量瓶颈”,节余热在电子设备影响导致了其性能。 唯一的方式克服此问题将从电子取消此节余热。

金刚石薄膜有唯一热量属性,使研究员建议此材料可以使用作为可以结合用不同的半导体的材料的吸热器。 然而,金刚石影片要求可能超出 800°C 的高证言温度,因而阻拦此技术的生活能力的。

Sumant 通知金刚石电影需要被制作在低温。 当这些电影被制作在 400°C 时,结合此材料用半导体材料的不同的类型是可能的。

Sumant 和其他 nanoscientists 运用了一个新颖的方法,修改金刚石影片的证言程序。 通过此技术,他们是成功的在带来在这个温度下给 400°C 并且调整了金刚石影片’热量属性通过控制他们的粒度。 这允许金刚石的综合化与其他二种关键材料的象镓氮化物和 graphene。

补充说的 Sumant 更加进一步,当与氧化硅或硅比较,金刚石有更好的导热性属性。 硅为发展 graphene 设备典型地使用。 被改进的热删除将允许基于金刚石的 graphene 设备维护更加高电流的密度。

在第二个研究中, Sumant 适用同一技术集成与金刚石薄膜的镓氮化物。 前面的材料用于威力强大的 LED。 在存款 300 毫微米厚度金刚石影片以后在镓氮化物基体的,科学家观察了在热量性能的卓越的改善。

研究的结果在先进的功能材料和纳诺信函被发布了。

来源: http://www.anl.gov/

Last Update: 15. March 2012 07:05

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