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科學家使用基於金剛石的 Nanoscale 材料改進電子』效率

Published on March 15, 2012 at 5:50 AM

卡梅倫柴

美國能源部的 Argonne 國家實驗室進行了二新的研究,顯示新穎的方法調查 nanocrystalline 金剛石薄膜屬性。 此最新的發現可能鋪平道路提高集成電路的特定類型性能,并且此改進可以通過使 「熱量預算值」達到集成電路減到最小。

Anirudha Sumant, Argonne nanoscientist,通知工程師幾年有努力通過使他們的要素減到最小發展先進和高效的電子設備』範圍。 當執行如此時,科學家到達了 「熱量瓶頸」,節餘熱在電子設備影響導致了其性能。 唯一的方式克服此問題將從電子取消此節餘熱。

金剛石薄膜有唯一熱量屬性,使研究員建議此材料可以使用作為可以結合用不同的半導體的材料的吸熱器。 然而,金剛石影片要求可能超出 800°C 的高證言溫度,因而阻攔此技術的生活能力的。

Sumant 通知金剛石電影需要被製作在低溫。 當這些電影被製作在 400°C 時,結合此材料用半導體材料的不同的類型是可能的。

Sumant 和其他 nanoscientists 運用了一個新穎的方法,修改金剛石影片的證言程序。 通過此技術,他們是成功的在帶來在這個溫度下給 400°C 並且調整了金剛石影片』熱量屬性通過控制他們的粒度。 這允許金剛石的綜合化與其他二種關鍵材料的像鎵氮化物和 graphene。

補充說的 Sumant 更加進一步,當與氧化硅或硅比較,金剛石有更好的導熱性屬性。 硅為發展 graphene 設備典型地使用。 被改進的熱刪除將允許基於金剛石的 graphene 設備維護更加高電流的密度。

在第二個研究中, Sumant 適用同一技術集成與金剛石薄膜的鎵氮化物。 前面的材料用於威力強大的 LED。 在存款 300 毫微米厚度金剛石影片以後在鎵氮化物基體的,科學家觀察了在熱量性能的卓越的改善。

研究的結果在先進的功能材料和納諾信函被發布了。

來源: http://www.anl.gov/

Last Update: 15. March 2012 07:05

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