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Os Materiais Aplicados Revelam a Tecnologia do Filme de PECVD para Fabricantes do Indicador

Published on March 21, 2012 at 5:27 AM

Por Cameron Chai

Os Materiais Aplicados introduziram plasma novo uma tecnologia aumentada do filme do depósito (PECVD) de vapor químico para fabricar indicadores de alta resolução, de capacidade elevada para televisões da próxima geração e computadores da tabuleta.

O filme novo de AKT-PECVD permite que a utilização dos transistor óxido-baseados metal, que geram minúsculo, pixéis do rápido-interruptor produza telas de alta resolução. O filme de isolamento avançado aumenta a estabilidade de transistor do óxido de metal e entrega o desempenho melhorado da tela oferecendo uma relação da dielétrico-camada para transistor que reduza impurezas do hidrogênio.

O sistema de AKT-PECVD dos Materiais Aplicados' pode uniformemente depositar estes filmes de óxido do silicone da superior-qualidade com precisão alta nas folhas de vidro que têm um tamanho de até 9 M.2 Esta capacidade é a chave para obter baixos custos de gastos de fabricação e saídas de fabricação altas.

Além de seus filmes da novela PECVD, os Materiais Aplicados estão desenvolvendo actualmente soluções sofisticadas de PVD tais como o depósito de IGZO para a produção do óxido de metal. Utilizando sua tecnologia giratória mais nova da disposição do cátodo, a empresa demonstra o depósito do baixo-defeito, camadas activas homogêneas com poucos materiais e uma produção mais alta quando comparada às soluções existentes de PVD.

De acordo com Tom Edman, Vice-presidente do Grupo e o Director Geral para a Unidade de Negócio do Indicador de AKT em Materiais Aplicados, os investimentos feitos por fabricantes do indicador na capacidade do transistor do óxido de metal são crescentes, e os filmes avançados do PECVD da empresa quebram a barreira em distribuir esta tecnologia chave abordando as introduções da estabilidade e da uniformidade dos filmes dieléctricos complexos. A empresa ofereceu uma aproximação rápida e barata para trazer esta tecnologia ao mercado, estendendo as funcionalidades de seu sistema de AKT-PECVD para o depósito dieléctrico do filme para transistor do óxido de metal.

Source: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 21. March 2012 06:50

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