Soitec Kündigt FD-2D und FD-3D Wafer-Straßenkarte für die Planare und FinFET-Transistoren an

Published on April 18, 2012 at 2:09 AM

Durch Cameron Chai

Soitec, ein Anbieter von Halbleitermaterialien für die Energie und die Elektronik vermarktet, hat seine völlig verbrauchte Produkt (FD)straßenkarte umrissen, die aus zwei Produkten besteht, die für hoch entwickelte planare und dreidimensionale bestimmt sind, Transistoren (FinFET).

Soitecs FLUGLEITANLAGEN-Wafers haben vor-integrierte Hauptmerkmale von Transistoren im Wafer sich strukturiert. Sie aktivieren eine frühe, mit geringem Risiko Schicht am 28 nm Knotenpunkt bis 10 nm und jenseits, bei der Verringerung Kosten und dem Verbessern von Leistungs-Leistungsfähigkeit und von Leistung von tragbaren Geräten. Die Firma arbeitet auch an dem Verbessern der Leistung der Transistoren, die vom Silikon sowie von anderen neuen Materialien hergestellt werden. Durch interne und gemeinsame Forschung und Entwicklung Programme erwartet die Firma auch die Systemumstellung von 300 bis 450 mm-Wafers für das Unterstützen der Industriestraßenkarte. Sind die FD-2D und FD-3D Wafers zu 450 mm vollständig ersteigbar.

Soitecs Produkte unterstützen die Internationale Technologie-Straßenkarte FLUGLEITANLAGE für Halbleiter der Industrie, indem sie Marktreichweite Zeit beschleunigen und über Produktionskosten Chip-Herstellern verringern. Die Produktserie das FD-2D der Firma ermöglicht eine innovative planare Methode zur FLUGLEITANLAGEN-Silikontechnologie bei 28 nm dem Knotenpunkt, in dem Chip-Hersteller Nutzen von ihren vorhandenen Verfahrenstechniken und von Auslegungen kontinuierlich erhalten können.

Der FD-2D Wafer hat eine ultra-homogene und ultradünne Silikonschicht als seine Oberschicht und aktiviert sie, planare FLUGLEITANLAGEN-Transistoren mit Silikon der Stärke unten bis 5 nm unter dem Tor zu erreichen. Eine ultradünne begrabene Oxid (BOX)schicht mit einer Stärke von 25 nm wird zwischen der Silikonbasis und der Spitzensilikonschicht eingeschoben. Zukünftige Generationen können sogar von den dünneren KASTEN-Schichten ausnutzen, die eine Stärke von unten bis 10 nm, Wegbereitung für unten 14 nm zur Ersteigbarkeit des planaren Transistors für tragbare Geräte haben.

Soitecs FD-3D Produktserie aktiviert dreidimensionale Architektur (FinFET), bei der Senkung von Investition und von Zeit und der Vereinfachung des TransistorHerstellungsverfahrens an weniger als 20 nm. Der FD-3D Wafer hat eine Silikonoberschicht, deren Stärke mit den Anforderungen von Abnehmern schwankt. Die Flossenhöhe ist durch diese Oberschicht vorher festgelegt, die über eine KASTEN-Schicht gelegt wird, die eingebaute tatsächliche Trennung anbietet. Sie vereinfacht das FinFET-Produktionsverfahren, verringert Kapital und Betriebskosten und erhöht Produktionsdurchsatz. Diese Vorteile ergeben weniger Industrialisierungsherausforderungen, kürzere Verfahrensentwicklung, die Schleifen lernen, und schnellere Marktreichweite Zeit für FinFET-Technologie im Mainstreamgießereimarkt.

Quelle: http://www.soitec.com

Last Update: 18. April 2012 02:44

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