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NIST の調査は有機性電子工学のためのナノメーター厚いフィルムの熱安定性を証明します

Published on April 19, 2012 at 3:25 AM

カメロンシェ著

国立標準技術研究所 (NIST) からの調査チームは国際的な調査チームがほぼ端の X 線の吸収の良構造の分光学 (NEXAFS) を使用して極めて薄い膜の安定性を確認するのを助けました。

国際的な調査チームによって発達する極めて薄い膜は医学アプリケーションで使用のために適用範囲が広い、 sterilizable 有機性電子工学の新しいクラスのために主要部分として使用することができます。 チームはソリッドステート研究のためにプリンストン大学からのメンバーが付いている東京の大学からの科学者によって、広島大学、日本科学技術代理店、 Planck の最大協会および日本 Kayaku の東京ベースの会社先頭に立たれます。

国際的な調査チームは有機性トランジスターの高温殺菌を可能にする革新的なゲート材料を開発しま、従ってそれらを柔らかいペースメーカーおよび implantable 装置のような医学アプリケーションのために適したようにします。 このゲート材料は表面への小さい角度でアセンブルする堅く詰められた線形分子の極めて薄い単層にそれ自身をアセンブルします。 チームはこの自己組み立てられた単一層の厚さが (SAM) 2 nm に下がる場合もあること知らせました。

SAM の構造測定はニューヨークに各国用のシンクロトロンの光源にあった NIST の低エネルギーの X 線ビームラインで行われました。 熱処理がフィルムの熱安定性そして分子オリエンテーションを測定するのに NEXAFS の技術を利用する NIST の beamline でテストされた後前にからの極めて薄いフィルムのサンプルおよび。

NEXAFS の技術は表面でそしてサンプルの内部には化学結合を検出することができます。 例えば、それは分子内の単一カーボン結束と二重カーボン結束間の不均衡を示すことができます。 NEXAFS の測定は SAM の極めて薄いフィルムが 150°C. の上の温度で保全および安定性を維持できたと証明しました。

ソース: http://www.nist.gov

Last Update: 19. April 2012 04:42

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