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Tecnica di Raffreddamento della Nuova Trapunta di Graphene per le Unità Ad alta potenza A Semiconduttore

Published on May 10, 2012 at 4:10 AM

Da G.P. Thomas

Un gruppo di ricerca dall'Università di California, Facoltà di Ingegneria di Ruscelli della Riva Del Fiume ha sviluppato una tecnica di raffreddamento facendo uso dei multilayers del graphene per rimuovere il calore dal nitruro di gallio, un materiale a semiconduttore utilizzato in varie applicazioni che variano dalle automobili elettriche ai semafori.

Alexander Balandin, centro, supporti con due dei suoi dottorandi, Guanxiong Liu (lasciato) e Zhong Yan (destra) (credito: Università di California, Riva Del Fiume)

Questa tecnica novella apre la strada ampliare la quota di mercato e le applicazioni di elettronica del nitruro di gallio. Il gruppo di ricerca del Laboratorio dell'Nano-Unità intestato da Alexander Balandin ha indicato che l'implementazione dei canali d'evasione di alternativa facendo uso dei multilayers del graphene poteva abbassare la temperatura delle aree sensibili in transistor del nitruro di gallio fino a 20°C.

Questa riduzione della temperatura raggiunta con l'uso di graphene, un conduttore superiore del calore, può aumentare la durata di funzionamento del transistor da un fattore di 10, una trasformazione dell'innovazione nella gestione termica.

Il Contrario alle pellicole del metallo o a semiconduttore, pellicole del graphene del poco-livello può conservare i loro beni termici superiori anche ad uno spessore di pochi nanometri. Il gruppo di ricerca ha progettato ed applicato le trapunte del ` della graphene-grafite' in cima ai transistor del nitruro di gallio. A Differenza delle trapunte tradizionali, lo scopo delle trapunte della graphene-grafite' era di portare via il calore dalle aree sensibili e di spargersi.

Il gruppo di ricerca ha usato la termometria spettroscopica di micro-Raman per indicare che la temperatura delle aree sensibili può essere diminuita da 20°C in transistor del nitruro di gallio che funzionano ai livelli di più alta potenza. Facendo Uso delle simulazioni su elaboratore, il gruppo ha scoperto che la prestazione delle trapunte del graphene può essere più alta in transistor del nitruro di gallio sui substrati che hanno alta resistenza termica.

I risultati di studio sono stati riferiti nel giornale, Comunicazioni della Natura.

Sorgente: http://www.ucr.edu/

Last Update: 12. December 2013 16:48

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