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높 힘 반도체 소자를 위한 Graphene 새로운 누비이불 냉각 기술

Published on May 10, 2012 at 4:10 AM

G.P.의 토마스

의 기술설계의 강변 Bourns 대학 가주 대학에서 연구단은 graphene multilayers를 사용하여 냉각 갈륨 질화물, 전차에서 신호등에 구역 수색 각종 응용에서 이용된 반도체 물자에서 열을 제거하기 위하여 기술을 개발했습니다.

(남겨두는) 그의 대학원 학생의 2를 가진 알렉산더 Balandin, 센터, 대, Guanxiong Liu 및 (맞은) Zhong Yan (크레딧: 의 강변 가주 대학)

이 비발한 기술은 갈륨 질화물 전자공학의 시장 점유율 그리고 응용을 확장하는 도로를 포장합니다. 알렉산더 Balandin에 의해 이끌린 Nano 장치 실험실 연구단은 graphene multilayers를 사용하여 대안 열 도주 채널 통신로의 실시가 20°C.까지에 의하여 갈륨 질화물 트랜지스터에 있는 핫스팟의 온도를 낮출 수 있었다는 것을 보여주었습니다.

graphene의 사용, 우량한 열 지휘자를 통해 달성된 온도에 있는 이 감소는 10의 요인, 열 관리에 있는 돌파구 전이에 의하여, 트랜지스터의 운영 생활을 증가할 수 있습니다.

반도체 또는 금속 필름, 몇몇 층 graphene 필름에 반대는 몇몇 나노미터의 간격에 조차 그들의 우량한 열 속성을 유지할 수 있습니다. 연구단은 갈륨 질화물 트랜지스터 꼭대기에 graphene 흑연 ` 누비이불을' 디자인하고 실행했습니다. 전통적인 누비이불과는 다른, graphene 흑연 누비이불' 목적은 열을 핫스팟에서 나르고 퍼지기 위한 것이었습니다.

연구단은 마이크로 라만 분광 핫스팟' 온도가 고성능 수준에 작동하는 갈륨 질화물 트랜지스터에 있는 20°C에 의해 감소될 수 있다는 것을 보여주기 위하여 온도 측정을 이용했습니다. 컴퓨터 모의 실험을 사용하여, 팀은 graphene 누비이불의 성과가 높은 내열성이 있는 기질에는에 갈륨 질화물 트랜지스터에서 더 높을 수 있다는 것을 발견했습니다.

연구 결과 결과는 전표, 성격 커뮤니케이션에서 보고되었습니다.

근원: http://www.ucr.edu/

Last Update: 12. December 2013 16:52

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