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Production de Masse de Débuts de Samsung Electronics 20 4 de Mémoire Classe du nanomètre du Gigaoctet LPDDR2

Published on May 19, 2012 at 4:26 AM

Par Volonté Soutter

Samsung Electronics a indiqué que la production de masse 20 4 de la mémoire classe du nanomètre premier-de-son-aimable du DDR 2 de faible puissance de Gigaoctet (LPDDR2) a été commencée le mois dernier.

Cette puce de mémoire vive dynamique mobile classe du nanomètre de 20 4 (DRAM) Gigaoctets aidera à porter plus rapidement, l'allège, dispositifs plus-avancés avec une plus longue durée de vie de batterie au marché. Les fournisseurs de Solution pour l'entreprise et les constructeurs mobiles peuvent élaborer les systèmes avancés et les designs mobiles ultra-minces utilisant cette mémoire plus mince, plus à haute densité et de performances supérieures de mobile.

Cette mémoire de 4 Gigaoctets permet à Samsung Electronics de fournir 0,8 2 solutions millimètre-épaisses de GB qui empilent quatre puces de 4 Gigaoctets LPDDR2 en un module LPDDR2. L'épaisseur de ce module neuf est 20% moins que cela de 2 modules de GB empilant quatre 30 puces classe du nanomètre de 4 Gigaoctets LPDDR2. D'ailleurs, le module neuf de la GB 2 est capable de traiter des données aussi élevées que 1.066 Mbps pour la consommation d'énergie mêmes que celle du module classe du nanomètre précédent de la GB 30 2.

Samsung Electronics croit que ses 30 2 1GB LPDDR2, qui GB-Basés classe du nanomètre étaient dans l'alimentation inadéquate à une épaisseur de 0,8 millimètres seront rapidement remplacés par les 20 4Gb LPDDR2 classe du nanomètre neufs. Les 20 4 Gigaoctets LPDDR2 classe du nanomètre neuf fournissent plusieurs autres avantages, ainsi seront utiles en accélérant l'accroissement du marché des Drachmes de 4 Gigaoctets. Avec la fabrication de volume des 20 4 Gigaoctets LPDDR2 classe du nanomètre, la compagnie s'assure qu'elle a la gamme de produits mobile d'une grande portée de MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE dans le marché. Ceci vient à la suite de l'introduction de la compagnie des 20 8 modules classe du nanomètre premier-de-son-aimables de la GB DDR3 pour l'usage dans le notebook PC en mars 2012.

Vice Président Exécutif de Samsung Electronics le' des Ventes de Mémoire et la Vente, Wanhoon Hong ont déclaré que la compagnie anticipe augmenter la part de 20 MÉMOIRES VIVES DYNAMIQUES classe du nanomètre dans sa MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE totale sortie de sorte qu'elle puisse renforcer son avantage concurrentiel et maintenir sa dominance sur le marché de la meilleure qualité en effectuant la MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE de 4 Gigaoctets comme produit phare.

Source : http://www.samsung.com/

Last Update: 19. May 2012 05:26

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