サムソング・エレクトロニックスは 20 nm クラスの 4 GB LPDDR2 のメモリの大量生産を開始します

Published on May 19, 2012 at 4:26 AM

意志 Soutter によって

サムソング・エレクトロニックスは最初のもの 20 nm クラスの 4 GB の低い電力の二重データレート 2 の (LPDDR2) メモリの大量生産が先月開始してしまったことを明らかにしました。

この 20 nm クラスの 4 GB の移動式ダイナミック RAM (DRAM) チップは市場へのより長い電池の寿命のより多くの高度装置、ライターより速く持って来るのを、助けます。 企業の解決の提供者および移動式製造業者はこのより薄く、高密度および優秀パフォーマンス可動装置のメモリを使用して高度システムおよび超細い移動式デザインを開発できます。

この 4 GB のメモリはサムソング・エレクトロニックスが 1 個の LPDDR2 パッケージの 4 つの 4 GB LPDDR2 チップをスタックする 0.8 mm 厚い 2 GB の解決を提供することを可能にします。 この新しいパッケージの厚さは 2 GB のそれが 4 つの 30 nm クラスの 4 GB LPDDR2 チップをスタックすることを包むより 20% より少しです。 さらに、新しい 2 GB のパッケージは前の 30 nm クラスの 2 GB のパッケージのそれとパワー消費量のための 1,066 Mbps 同じ高いデータを処理することができます。

サムソング・エレクトロニックスは 0.8 mm の厚さに不十分な供給にあった 30 nm クラスの 2 GB ベースの 1GB LPDDR2 の新しい 20 nm クラスの 4Gb LPDDR2 と急速に取替えられることを信じます。 新しい 20 nm クラスの 4 GB LPDDR2 は他の複数の利点を提供しましたり、従って 4 GB のドラムの市場の成長の加速で有用です。 20 nm クラスの 4 GB LPDDR2 のボリューム製造業によって、会社は市場で広範囲に及ぶ移動式ドラムの製品範囲があることを保障します。 これは会社の最初のもの 2012 年 3 月のノートのパソコンの使用のための 20 nm クラスの 8 GB DDR3 のモジュールの紹介のかかとに来ます。

競争力を補強し、優れた市場で 4 GB のドラムの作成によって代表的な製品として優勢を保つことができるように会社が出力される総ドラムの 20 nm クラスのドラムの分け前を高めることを予想することをサムソング・エレクトロニックスの」メモリ販売の副総裁及びマーケティング、 Wanhoon 洪は示しました。

ソース: http://www.samsung.com/

Last Update: 19. May 2012 05:27

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