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Produção em Massa dos Começos de Samsung Electronics 20 de Memória do Gb LPDDR2 da nanômetro-Classe 4

Published on May 19, 2012 at 4:26 AM

Pela Vontade Soutter

Samsung Electronics revelou que a produção em massa da nanômetro-classe 20 primeiro--seu-amável 4 memória da dobro-dados-taxa 2 da baixa potência do Gb (LPDDR2) tem sido começada no mês passado.

Esta nanômetro-classe 20 chip de memória de acesso aleatório dinâmico móvel de 4 Gb (DRAM) ajudará a trazer mais rapidamente, o isqueiro, dispositivos mais-avançados com vida da bateria mais longa ao mercado. Os fornecedores da solução da Empresa e os fabricantes móveis podem desenvolver sistemas avançados e projectos móveis ultra-magros usando estes diluidor, alto-densidade e memória do móbil do superior-desempenho.

Uma Esta memória de 4 Gb permite Samsung Electronics de entregar 0,8 soluções milímetro-grossas de 2 GB que empilham quatro microplaquetas de 4 Gb LPDDR2 em um pacote LPDDR2. A espessura deste pacote novo é 20% menos do que aquela de 2 GB empacota o empilhamento da nanômetro-classe quatro 30 microplaquetas de 4 Gb LPDDR2. Além Disso, o pacote novo de 2 GB é capaz de processar os dados tão altos quanto 1.066 Mbps para o consumo de potência mesmos que aquele da nanômetro-classe 30 precedente pacote de 2 GB.

Samsung Electronics acredita que sua 30 nanômetro-classe 2 Gb-Baseou 1GB LPDDR2, que estava na fonte inadequada em uma espessura de 0,8 milímetros será substituído ràpida 20 pela nanômetro-classe nova 4Gb LPDDR2. 20 a nanômetro-classe que nova 4 Gb LPDDR2 entregam diversos outros benefícios, assim será útil em acelerar o crescimento do mercado de Goles de 4 Gb. Com a fabricação do volume 20 da nanômetro-classe 4 Gb LPDDR2, empresa assegura-se de que tenha a gama de produtos móvel de grande envergadura da GOLE no mercado. Isto vem logo a seguir à introdução da empresa da nanômetro-classe 20 primeiro--seu-amável os módulos de 8 GB DDR3 para o uso em PCes do caderno em março de 2012.

O Vice-presidente Executivo de Samsung Electronics' de Vendas da Memória & o Mercado, Wanhoon Hong indicaram que a empresa antecipa o aumento da parte de uma GOLE de 20 nanômetro-classes em sua GOLE total output de modo que pudesse reforçar sua margem competitiva e reter seu domínio no mercado superior fazendo a GOLE de 4 Gb como o produto de capitânia.

Source: http://www.samsung.com/

Last Update: 19. May 2012 05:27

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