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三星电子开始 20 nm 班的 4 个 Gb LPDDR2 内存的大量生产

Published on May 19, 2012 at 4:26 AM

由意志 Soutter

三星电子表示一流的 20 nm 班的 4 Gb 低功率二重数据比率 2 (LPDDR2) 内存的大量生产上个月开始了。

此 20 nm 班的 4 Gb 移动动态随机存储器 (DRAM)筹码将帮助快速地带来,打火机,有更长的电池寿命的更多先进的设备对这个市场。 使用此更加稀薄,更加高密度和优越性能移动电话内存,企业解决方法提供者和移动制造商能开发先进的系统和超亭亭玉立的移动设计。

此 4 Gb 内存使三星电子提供堆积在一个 LPDDR2 程序包的四 4 Gb LPDDR2 筹码的0.8 mm 厚实的 2 GB 解决方法。 此新的程序包的厚度比那 2 GB 包装堆积四个 30 nm 班的 4 Gb LPDDR2 筹码是 20% 较少。 而且,新的 2 GB 程序包能够处理数据高达 1,066 Mbps 电力消费的同那早先 30 nm 班的 2 GB 程序包一样。

三星电子相信其 30 nm 班 2 Gb 根据 1GB LPDDR2,在不适于的用品在 0.8 mm 厚度将被新的 20 nm 班的 4Gb LPDDR2 迅速地替换。 新的 20 nm 班的 4 Gb LPDDR2 提供几个其他福利,因而是有用的在加速 4 Gb 微量市场增长。 20 nm 班的 4 Gb LPDDR2 的数量制造,这家公司保证它有广远的移动微量产品范围在这个市场。 这在一流的 20 nm 班的 8 GB DDR3 模块的公司的简介时来用于笔记本个人计算机在 2012年 3月。

内存销售额的三星电子’行政副总裁 & 营销, Wanhoon 洪阐明,这家公司在其输出的总微量期望增加 20 nm 班的微量共用,以便它在优质市场上可能加强其竞争力和保留其优势通过做 4 Gb 微量作为重要产品。

来源: http://www.samsung.com/

Last Update: 19. May 2012 05:26

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