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三星電子開始 20 nm 班的 4 个 Gb LPDDR2 內存的大量生產

Published on May 19, 2012 at 4:26 AM

由意志 Soutter

三星電子表示一流的 20 nm 班的 4 Gb 低功率二重數據比率 2 (LPDDR2) 內存的大量生產上個月開始了。

此 20 nm 班的 4 Gb 移動動態隨機存儲器 (DRAM)籌碼將幫助快速地帶來,打火機,有更長的電池壽命的更多先進的設備對這個市場。 使用此更加稀薄,更加高密度和優越性能移動電話內存,企業解決方法提供者和移動製造商能開發先進的系統和超亭亭玉立的移動設計。

此 4 Gb 內存使三星電子提供堆積在一個 LPDDR2 程序包的四 4 Gb LPDDR2 籌碼的0.8 mm 厚實的 2 GB 解決方法。 此新的程序包的厚度比那 2 GB 包裝堆積四個 30 nm 班的 4 Gb LPDDR2 籌碼是 20% 較少。 而且,新的 2 GB 程序包能够處理數據高達 1,066 Mbps 電力消費的同那早先 30 nm 班的 2 GB 程序包一樣。

三星電子相信其 30 nm 班 2 Gb 根據 1GB LPDDR2,在不適於的用品在 0.8 mm 厚度將被新的 20 nm 班的 4Gb LPDDR2 迅速地替換。 新的 20 nm 班的 4 Gb LPDDR2 提供幾個其他福利,因而是有用的在加速 4 Gb 微量市場增長。 20 nm 班的 4 Gb LPDDR2 的數量製造,這家公司保證它有廣遠的移動微量產品範圍在這個市場。 這在一流的 20 nm 班的 8 GB DDR3 模塊的公司的簡介時來用於筆記本個人計算機在 2012年 3月。

內存銷售額的三星電子』行政副總裁 & 營銷, Wanhoon 洪闡明,這家公司在其輸出的總微量期望增加 20 nm 班的微量共用,以便它在優質市場上可能加強其競爭力和保留其優勢通過做 4 Gb 微量作為重要產品。

來源: http://www.samsung.com/

Last Update: 19. May 2012 05:26

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