Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Nanomaterials

There is 1 related live offer.

Save 25% on magneTherm

De Onderzoekers Vinden Krachten Achter Georiënteerde Gehechtheid in de Groei Nanocrystal

Published on May 28, 2012 at 3:13 AM

Door Zal Soutter

Een onderzoeksteam dat door Jim DeYoreo van het Nationale Laboratorium van Lawrence Berkeley (het Laboratorium van Berkeley) wordt geleid heeft van het Ministerie van de V.S. van Energie voor het eerst direct de krachten achter ` georiënteerde gehechtheid, een' zeer belangrijk fenomeen waargenomen waardoor grenzend aan nanoparticles met elkaar in een typische kristallografische richtlijn bind.

De onderzoekers van het Laboratorium van Berkeley bij de Moleculaire Gieterij hebben belangrijke mechanismen achter georiënteerde gehechtheid nader toegelicht die biomineralization en de groei van nanocrystals drijft. (Beeld van Jim DeYoreo)

In de studie die bij de Moleculaire Gieterij van het Laboratorium van Berkeley wordt uitgevoerd, namen de onderzoekers direct een zeer belangrijke fase in georiënteerde gehechtheid waar. Zij synchroniseerden de belangrijkste fase als sprong-aan-contact `.' De onderzoekers vroege het kristalgroei die bestudeerden van het ijzeroxyde nanparticles de' een silicium vloeibare cel gebruikt die op de high-resolution de transmissieelektronenmicroscoop van de Moleculaire Gieterij wordt geplaatst. Zij konden nanoparticle richtlijnen allen door de groei van nanoparticles in nanocrystals waarnemen.

Jim DeYoreo informeerde dat de onderzoekers de krachten achter georiënteerde gehechtheid konden meten door de directe observatie van de rotatie en vertalende versnellingen met betrekking tot het sprong-aan-contact tussen nanoparticles. Deze nanoparticles roteerden onophoudelijk op elkaar in en werkten tot zij een perfecte roostergelijke identificeerden waarna een onverwacht sprong-aan-contact over een afstand van onder 1 NM plaatsvond. Na het sprong-aan-contact, zij begon de atoom-door-atoom gehechtheid op het contactpunt. Deze metingen toonden aan dat de krachtige hoogst-richting-specifieke interactie de kristalgroei door georiënteerde gehechtheid teweegbrengen.

De studieresultaten verstrekken diepgaand inzicht in georiënteerde gehechtheid. Beter zal het begrip van de krachten die dit zeer belangrijke fenomeen drijven in het ontwerpen van toekomstige biomimetic materialen, het vooruitgaan van milieurestauratieinspanningen, en het vervaardigen van boomachtige of vertakte halfgeleider nanowires nuttig zijn.

DeYoreo becommentarieerde dat de halfgeleider nanowires dankzij potentieel voor gebruik in nanoelectronics, photovoltaics, photocatalysis hun vermogen houdt om natuurlijke verbindingen, kleine diameters en grote oppervlakten tot stand te brengen. De informatie over de mechanismen die zich het vertakken van nanowires controleren zal voor materialenwetenschappers nuttig zijn om hoogst efficiënte technieken te ontwerpen om deze materialen te vervaardigen.

Bron: http://www.lbl.gov

Last Update: 28. May 2012 04:48

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit