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Nueva Técnica de los Nanomaterials Para Desarrollar una Mejor Electrónica

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

Por la Voluntad Soutter

Un equipo de investigación del Laboratorio Nacional de Argonne del Departamento de Energía de EE. UU. ha ideado una técnica nueva que es capaz drástico de aumentar la eficiencia y de bajar el costo de fabricar los diversos tipos de materiales semiconductores.

Esta imagen muestra los canales grabados el ácido usando la síntesis secuencial de la infiltración, que los científicos en Argonne creaban las características que tienen altas relaciones de aspecto - es decir, ellos es lejos más profunda que de par en par. Estas hendiduras permiso la creación de una nueva generación de materiales semiconductores

La técnica innovadora satisface ciertos requisitos previos del mapa itinerario internacional del ` del semiconductor' para 2022. Actualmente, la fotolitografía es utilizada para hacer modelos del semiconductor selectivamente quitando partes de una película fina. La Aguafuerte de un modelo, también conocida como resiste, en el semiconductor es hecha exponiendo a un gas ionizado. Sin Embargo, el resistir también es grabado el ácido de distancia por este gas, así disminuyendo la reutilización de esta película. Altamente duradero resiste se llaman como máscaras duras.

Querido de Seth, un nanoscientist en el Laboratorio Nacional de Argonne, informado que el colapso del dominio es una barrera para fabricar componentes más pequeños del semiconductor. Los Investigadores todavía no pueden encontrar una solución para eliminar este colapso.

El Querido y los colegas idearon un método llamado síntesis secuencial de la infiltración (SIS) en 2010. La técnica crece los materiales inorgánicos resistentes dentro de una película suave del polímero usando los gases. La Oficina de la GAMA de la Ciencia utilizó la investigación vía el Centro de Investigación De energía solar Argonne-Del noroeste y el Centro de Argonne para los Materiales de Nanoscale.

SIS evita el uso de máscaras duras en fotolitografía, dijo al Querido. Éste es una de las ventajas mayores de SIS pues las máscaras duras son complejas, de coste elevado, disminuyen calidad del modelo y aumentan pasos de progresión de proceso. Las compañías Importantes del semiconductor han reconocido ya SIS como tecnología capaz de dirigir diversos retos complejos.

El Querido y los colegas demostraron recientemente capacidad de SIS' de eliminar colapso del modelo y de permitir la producción de materiales con modelos más altos de la relación de aspecto. El Querido declaró que una de las ventajas dominantes de esta demostración es la posibilidad de utilizar SIS para la fotolitografía, un proceso industrial crítico.

Fuente: http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:49

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