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Technique Neuve de Nanomaterials Pour Développer la Meilleure Électronique

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

Par Volonté Soutter

Une équipe de recherche du Laboratoire National d'Argonne du Département de l'Énergie des USA a conçu une technique nouvelle qui est capable d'augmenter rigoureusement l'efficience et d'abaisser le coût de fabriquer les types variés de matériaux semi-conducteurs.

Cette image affiche des tunnels corrodés utilisant la synthèse séquentielle d'infiltration, que les scientifiques chez Argonne produisaient les caractéristiques techniques qui ont des rapports hauteur/largeur élevés - c.-à-d., ils sont bien plus profonde qu'au loin. Ces crevasses permettront la création d'un rétablissement neuf des matériaux semi-conducteurs

La technique novatrice accomplit certaines conditions pour le calendrier de lancement international de ` de semi-conducteur' pour 2022. Actuellement, la photolithographie est employée pour effectuer des configurations de semi-conducteur en retirant sélecteur des parties d'un film mince. Gravure d'une configuration, également connue sous le nom de résistent, dans le semi-conducteur est faite par l'exposition à un gaz ionisé. Cependant, la résistance est également corrodée loin par ce gaz, de ce fait diminuant la réutilisabilité de ce film. Hautement durable résiste se nomment en tant que masques durs.

Chouchou de Seth, un nanoscientist au Laboratoire National d'Argonne, avisé que l'effondrement de domaine est un barrage pour fabriquer de plus petits composants de semi-conducteur. Les Chercheurs ne peuvent toujours pas trouver une solution pour éliminer cet effondrement.

Le Chouchou et les collègues ont conçu une synthèse séquentielle appelée d'infiltration de méthode (SIS) en 2010. La technique élève les matériaux minéraux durs dans un film mou de polymère utilisant des gaz. Le Bureau de DAINE de la Science a supporté la recherche par l'intermédiaire du Centre de Recherche À énergie solaire Argonne-Du nord-ouest et du Centre d'Argonne pour des Matériaux de Nanoscale.

Le SIS évite l'utilisation des masques durs dans la photolithographie, a dit le Chouchou. C'est l'un des principaux avantages du SIS car les masques durs sont complexes, à coût élevé, diminuent la qualité de configuration et augmentent des phases de processus. Les compagnies Importantes de semi-conducteur ont déjà identifié le SIS comme technologie capable de relever des défis complexes variés.

Le Chouchou et les collègues ont récent expliqué la capacité du SIS d'éliminer l'effondrement de configuration et de permettre la production des matériaux avec des configurations plus élevées d'aspect-taux. Le Chouchou a déclaré qu'un des avantages principaux de cette démonstration est la possibilité d'employer le SIS pour la photolithographie, un processus industriel critique.

Source : http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:48

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