Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions

Nieuwe Techniek Nanomaterials om Betere Elektronika Te Ontwikkelen

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

Door Zal Soutter

Een onderzoeksteam van het Nationale Laboratorium Argonne van het Ministerie van de V.S. van Energie heeft een nieuwe techniek bedacht die om de efficiency kan drastisch te verbeteren en de kosten verminderen om diverse types van semiconducting materialen te vervaardigen.

Dit beeld toont geëtste kanalen gebruikend opeenvolgende infiltratiesynthese, die de wetenschappers in Argonne hebben gebruikt om eigenschappen tot stand te brengen die hoge aspectverhoudingen - d.w.z. hebben, zij is veel dieper dan wijd. Deze spleten zullen de verwezenlijking van een nieuwe generatie van semiconducting materialen toelaten

De innovatieve techniek vervult bepaalde eerste vereisten voor de internationale halfgeleider ` roadmap' voor 2022. Momenteel, wordt de fotolithografie gebruikt om halfgeleiderpatronen te maken door delen van een dunne film selectief te verwijderen. Ets van een patroon, ook wordt bekend die als verzetten tegenzich, in de halfgeleider wordt gedaan door aan een geïoniseerd gas bloot te stellen. Nochtans, verzet tegenme ook wordt geëtst weg door dit gas, waarbij de mogelijkheid om opnieuw gebruikt te worden van deze film is verminderd. Hoogst duurzaam verzet tegenzich worden genoemd als harde maskers.

Schat van Seth, een nanoscientist bij Nationaal Laboratorium Argonne, informeerde dat de domeininstorting een barrière is om kleinere halfgeleidercomponenten te vervaardigen. De Onderzoekers kunnen nog geen oplossing vinden om deze instorting te elimineren.

De Schat en de collega's bedachten een methode genoemd opeenvolgende infiltratiesynthese (SIS) in 2010. De techniek kweekt taaie anorganische materialen binnen een zachte polymeerfilm gebruikend gassen. Het Bureau van DOE van Wetenschap steunde het onderzoek via het argonne-Noordwestelijke Onderzoekscentrum van de Zonne-energie En het Centrum van Argonne voor Materialen Nanoscale.

SIS vermijdt het gebruik van harde maskers in fotolithografie, bovengenoemde Schat. Dit is één van de belangrijkste voordelen van SIS aangezien de harde maskers complex zijn, high-cost, vermindert patroonkwaliteit en verhogingsprocesstappen. De Belangrijke halfgeleiderbedrijven hebben reeds SIS als een technologie geschikt gezien om diverse complexe uitdagingen te richten.

De Schat en de collega's het vermogen toonden onlangs van SIS aan' van het elimineren van patrooninstorting en het toestaan van de productie van materialen met hogere aspect-verhouding patronen. De Schat verklaarde dat één van de belangrijkste voordelen van deze demonstratie de mogelijkheid is om SIS voor fotolithografie, een kritiek industrieel proces te gebruiken.

Bron: http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:48

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit