Técnica Nova dos Nanomaterials Para Desenvolver a Melhor Eletrônica

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

Pela Vontade Soutter

Uma equipa de investigação do Laboratório Nacional de Argonne do Ministério de E.U. de Energia planejou uma técnica nova que fosse capaz dràstica de aumentar a eficiência e de abaixar o custo de fabricar vários tipos de materiais semiconducting.

Esta imagem mostra os canais gravados usando a síntese seqüencial da infiltração, que os cientistas em Argonne se usaram para criar as características que têm prolongamentos altos - isto é, eles é distante mais profunda do que largamente. Estas fissuras permitirão a criação de uma nova geração de materiais semiconducting

A técnica inovativa cumpre determinadas condições prévias do mapa rodoviário internacional do ` do semicondutor' para 2022. Presentemente, a fotolitografia é usada para fazer testes padrões do semicondutor selectivamente removendo as partes de um filme fino. Gravura A Água-forte de um teste padrão, igualmente conhecida como resiste, no semicondutor é feita expor a um gás ionizado. Contudo, a oposição é gravada igualmente afastado por este gás, assim diminuindo a reusabilidade deste filme. Altamente durável resiste são denominados como máscaras duras.

Amor de Seth, um nanoscientist no Laboratório Nacional de Argonne, informado que o colapso do domínio é uma barreira para fabricar componentes menores do semicondutor. Os Pesquisadores não podem ainda encontrar uma solução para eliminar este colapso.

O Amor e os colegas planejaram um método chamado síntese seqüencial da infiltração (SIS) em 2010. A técnica cresce materiais inorgánicos resistentes dentro de um filme macio do polímero usando gáss. O Escritório da GAMA da Ciência apoiou a pesquisa através do Centro de Investigação Energética Solar Argonne-Do noroeste e do Centro de Argonne para Materiais de Nanoscale.

SIS evita o uso de máscaras duras na fotolitografia, disse o Amor. Esta é uma das vantagens principais de SIS porque as máscaras duras são complexas, a preço elevado, diminuem a qualidade do teste padrão e aumentam etapas do processo. As empresas Principais do semicondutor têm reconhecido já SIS como uma tecnologia capaz de endereçar vários desafios complexos.

O Amor e os colegas demonstraram recentemente a capacidade dos SI de eliminar o colapso do teste padrão e de permitir a produção de materiais com testes padrões mais altos da aspecto-relação. O Amor indicou que um dos benefícios chaves desta demonstração é a possibilidade de utilizar SIS para a fotolitografia, um processo industrial crítico.

Source: http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:49

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