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開發更好的電子的新的 Nanomaterials 技術

Published on June 12, 2012 at 7:15 AM

由意志 Soutter

從美國能源部的 Argonne 國家實驗室的研究小組構想了能够猛烈提高這張效率和降低製造半導體的材料的多種類型的費用的新穎的技術。

即此圖像比寬顯示使用連續濾滲綜合被銘刻的通道, Argonne 的科學家曾經創建功能有高長寬比 -,他們深。 這些裂隙將允許建立半導體的材料的新一代

創新技術在 2022年執行國際半導體 ` 模式的某些前提條件』。 當前,有選擇性去除薄膜的部分用於石版影印做半導體模式。 模式的蝕刻,亦稱抵抗,到這個半導體由顯示完成在被電離的氣體。 然而,抵抗由此氣體也銘刻,因而減少此影片的可再用性。 高度耐久抵抗被命名作為困難屏蔽。

Seth 親愛的,在 Argonne 國家實驗室的一 nanoscientist,通知域摺疊是製造的障礙更小的半導體要素。 研究員仍然不能查找解決方法消滅此摺疊。

親愛的和同事在 2010年構想了稱連續濾滲綜合的 (SIS)方法。 使用氣體,這個技術生長在一部軟的聚合物影片內的堅韌無機材料。 科學母鹿辦公室通過 Argonne 西北太陽能研究中心和 Argonne 的中心支持這個研究 Nanoscale 材料。

SIS 避免使用在石版影印的困難屏蔽,說親愛的。 這是其中一個 SIS,因為困難屏蔽是複雜的,高費用、減少模式質量和增量處理步驟的主要好處。 主要半導體公司已經認可了 SIS 作為技術能够解決多種複雜挑戰。

親愛的和同事最近展示了消滅模式摺疊和允許材料的生產的 SIS』功能與更高的方面比例模式的。 親愛的闡明,一個此演示的關鍵利益是使用 SIS 的可能性石版影印的,一種重要工業生產方法。

來源: http://www.anl.gov

Last Update: 12. June 2012 07:48

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