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STMicroelectronics Setzt Völlig Verbrauchte Silikon-auf-Isolator Technologie in 20 28 nm Knotenpunkten nm und ein

Published on June 13, 2012 at 2:45 AM

Durch Willen Soutter

GLOBALFOUNDRIES wird Einheiten für STMicroelectronics herstellen, indem es eine Völlig Verbrauchte Silikon-auf-Isolator (FD-SOI) Technologie in 20 28 nm Knotenpunkten nm und einsetzt. STMicroelectronics, der Eigentümer dieser Technologie, ist ein weltweiter Halbleiterführer, der seine Abnehmer mit einer Reichweite der Elektronikanwendungen versieht.

FD-SOI Einheiten mit seiner fristgerechten Verfügbarkeit und hohen Volumen können die Marktnachfrage nach Tabletten und intelligenten Telefonen erfüllen, um Multimedia, attraktive Grafiken und Breitbandanschlussfähigkeit von Hochgeschwindigkeits zu handhaben, ohne die Nutzungsdauer der Batterie zu beeinflussen.

FD-SOI Einheiten werden verwendet, um die Verwendung von herkömmlichen Transistoren und von schrumpfend Geometrie auszutauschen, die optimale Leistung entbinden nicht können, ohne die Temperatur zu erhöhen und die Nutzungsdauer der Batterie zu leeren. Die Transistoren, die völlig verbraucht werden und zur Anwendung der niedrigen Wirkleistung, niedrig Stand-durch Leistung der Leistung und der hohen Spitze fähig, werden verwendet, um die Leistung von Multimediakonvergenzanwendungen mit ausgezeichneter Energieeffizienz zu verbessern.

Die FD-SOI Technologie lässt STMicroelectronics Einheiten entbinden, denen völlig sehr viel im Voraus im Vergleich zu der entbindenen Zeit anderer Firmen verbraucht werden. bis Juli 2012 ist die 28 Generation nm FD-SOI zur Erstausführung betriebsbereit und die 20 Generation nm FD-SOI ist bis 2013 betriebsbereit.

Die FD-SOI Auftretenkapazität ist durch STMicroelectronics erhöht worden, indem man das interne Herstellungsverfahren der Firma in Crolles, Frankreich mit Industriekapazität GLOBALFOUNDRIES' ergänzte. STMicroelectronics plant, den anderen Partnern von GLOBALFOUNDRIES zu erlauben, auf die FD-SOI Technologie zuzugreifen, um seine Partner zu erlauben entwickeln Produkte mit neuer Technologie am 20 nm und an 28 nm-Knotenpunkten.

Joel Hartmann, Unternehmens-VP, Digital-Sektor und Vorderseite-Herstellung und Prozess R&D von STMicroelectronics, stellt das Versehen der Abnehmer der Firma mit Nutzen sicher, der Verwendung von Tabletten und von drahtlosen Anwendungen umfassen. Philippe Magarshack Unternehmens-VP, Auslegung Enablement und Dienstleistungen, nahm auch zu der beträchtlichen Leistung von FD-SOI sogar an der Niederspannung mit Hochenergie-Leistungsfähigkeit Stellung.

Quelle: http://www.st.com/

Last Update: 13. June 2012 03:57

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